Проводимость - пленка
Cтраница 2
Единственное систематическое измерение зависимости проводимости пленок от толщины выполнено, по-видимому. [16]
Чтобы получить заданный тип проводимости наращиваемой пленки в парогазовый поток при эпитаксии вводят контролируемое количество легирующих примесей. [17]
При более высоких температурах увеличивается проводимость пленки, что приводит к значительному снижению эффективности. Пленки ZnS успешно используются при температурах вплоть до 600 С [43], а пленки ниобата лития или нитрида алюминия должны работать до 1000 С. [18]
 |
Качестношгоо изображение / - / - кривых иолупо-гружегшого олсчп-рода и кинетическом режиме. [19] |
УПО и не зависит от проводимости пленки иб. [20]
Отсюда очевидно, что потеря проводимости пленок алюминия на SiO2 несущественна. [21]
Токи утечки в ФЭУ обусловлены проводимостью пленок избыточного цезия, конденсирующегося на стекле баллона и. Уменьшения токов утечки добиваются путем крепления анода на специальных стеклянных изоляторах отдельно от эмиттеров. [22]
Токи утечки в ФЭУ обусловлены проводимостью пленок избыточного цезия, конденсирующегося на стекле баллона и межэлектродных изоляторах, а также пленками загрязнений и влаги на внешней поверхности колбы. [23]
Приведенные результаты дают возможность однозначно связать проводимость пленок полимерных полупроводников с под-вижностями носителей заряда. Поскольку ток генерированных в приэлектродном слое дырок по порядку величины равен темповому току, то можно считать, что движение неравновесных и равновесных носителей заряда происходит в одинаковых условиях, а измеряемая подвижность является омической и непосредственно относится к темповой проводимости. [24]
Авторы высказали предположение, что механизм проводимости изученных пленок в первом приближении одинаков, несмотря на различие в структуре, внешнем виде и стабильности пленок. Детально эти факторы не изучались. [25]
С уменьшением толщины пленки пропорциональность между проводимостью пленок и количеством осажденного углерода нарушается, а температурный коэффициент удельного электросопротивления возрастает. Причиной этого является ухудшение ориентации кристаллитов в пленке и нарушение ее цельности. [26]
 |
Изменение удельной электропроводности о пленок с их толщиной h 0 8. [27] |
А более чем в 4 раза превышает проводимость пленки при 20 А. [28]
Регулируя количество испаряемого селена, изменяют тип проводимости пленок. Травление в НС1 необходимо для сенсибилизации структуры. Другой способ изготовления элементов заключается в том, что все входящие в их состав слои осаждают методом вакуумного испарения в едином цикле, без разгерметизации системы. [29]
Разработан прибор прямого измерения толщины покрытия по разности проводимости пленки и подложки [120], основанный на проникновении острой стальной иглы сквозь пленку и регистрации электрических импульсов в момент касания иглой пленки и подложки. [30]
Страницы: 1 2 3 4