Проводимость - пленка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Никому не поставить нас на колени! Мы лежали, и будем лежать! Законы Мерфи (еще...)

Проводимость - пленка

Cтраница 3


31 Зависимости энергии активации ЕА от концентрации Nо легирующей примеси в поликристаллических пленках Si, полученных химическим осаждением из паровой фазы. [31]

Хиннеберг и др. [22] подтвердили, что по типу проводимости пленки не отличаются от материала мишени. В-с), что соответствует значениям подвижности носителей в массивных кристаллах. Более низкая подвижность носителей в тонких пленках ( толщиной - 1 мкм) связана с их дополнительным рассеянием на дефектах кристаллической структуры. При комнатной температуре концентрация носителей в эпитаксиальных слоях изменяется от 1 1016 до 2 - 1017 см-3. Исходя из температурной зависимости концентрации носителей ( см. рис. 3.6), установлено, что акцепторные уровни отстоят от края валентной зоны на 0 05 эВ; наличие этих уровней объясняют присутствием в пленках примеси бора, содержавшегося в материале мишени.  [32]

При наличии существенной поверхностной проводимости пленок величину Wf следует заменить на проводимость пленки, усредненную по ее толщине, включая и поверхностные слои.  [33]

34 График изменения составляющих полного нормированного сопротивления, обусловленного частотными свойствами волновода.| Частотные характеристики волноводных головок с пленочным болометром. [34]

Этот же отрезок используется как подвижной поршень, компенсирующий реактивную составляющую нормированной проводимости пленки.  [35]

Полное сопротивление такой неоднородности является сложной функцией нескольких параметров: удельной СВЧ проводимости пленки; относительных размеров болометра и волновода; частотных свойств используемого волновода.  [36]

37 Проводимость и энергия активации Е проводимости при комнатной температуре пленок Si. Н, легированных фосфором, в зависимости от мощности тлеющего разряда И / дц ( скорость потока 3 5 станд. см3 / мин, отношение содержаний SiH4 / H2 1 / 20.| Объемная доля кристаллической фазы Vt и размер кристаллитов 6 в пленках Si. Н легированных фосфором, сопоставленные с темновой проводимостью. [37]

На рис. 5.3.3 представлены темповая проводимость при 25 С и энергия активации проводимости пленок, осажденных при различных мощностях разряда. Легированные фосфором пленки Si: Н были получены разложением газовой смеси SiH4 - H2 - PH3 ( SiH4 / H2 1 / 20, PH3 / SiH4 0 01) в высокочастотном ( 13 56 МГц) тлеющем разряде в емкостно-спаренном реакторе.  [38]

Уменьшение сопротивления связано, вероятно, со столь значительным изгибом края зоны проводимости пленки, что в нее оказывается возможной инжекция электронов. Если предположить, что однозарядовые агрессивные ионы адсорбировавшиеся на площадке - 100 мкм2 с плотностью I013 ионов / см отдадут свои электроны, то при длительности процесса порядка микросекунды в канале пройдет ток - 10 А / сиг. Весьма близкие данные по плотности тока на начальной стадии питтингообразования приводятся в литературе.  [39]

ТПТ с изолированным затвором представляет собой полупроводниковый триод, действие которого основано на модуляции проводимости пленки полупроводника поперечным электрическим полем. Процесс изготовления ТПТ состоит из следующих этапов: вначале на очищенную и обезгаженную в вакууме изолирующую подложку осаждается пленка полупроводника, затем производится осаждение металлических электродов истока и стока, поверх которых наносится слой изолятора и, наконец, слой металлического затвора.  [40]

При повторном нагреве пленок до 300 С сохраняется стабильность температурного хода удельной электропроводности, значит, проводимость пленок меняется практически обратимо. Более высокий нагрев пленок приводит к необратимым изменениям электропроводности и других свойств.  [41]

Полупроводниковые пленки чрезвычайно чувствительны к загрязнениям при нанесении, так как эти примеси и будут в итоге определять проводимость пленки. Поэтому в данном случае наилучшим методом испарения будет бестигельный, с помощью электронной бомбардировки.  [42]

При напускании того же количества газа ( 10 мм рт. ст.) на окисленную уже поверхность наблюдается увеличение проводимости пленки.  [43]

Так как в этой главе рассматриваются главным образом широкозонные диэлектрики ( Eg 3 эВ), то в основном проводимость пленок будет электронной, а не дырочной. Подвижность дырок обычно значительно меньше подвижности электронов, и вкладом дырок в проводимость почти всегда можно пренебречь. В реальных диэлектрических пленках концентрация ловушек высока, поэтому свободная дырка быстро захватывается и становится неподвижной. Тем не менее результаты могут быть использованы для любого типа носителей.  [44]

45 Сила тока, возникающая между двумя электродами, разделенными полимерной пленкой ( напряжение 1 В, ток регистрировался через 30 мин. площадь электрода 1 см2. [45]



Страницы:      1    2    3    4