Проводимость - стекло
Cтраница 3
Об этом свидетельствует, в частности, рис. 62, из которого ясно, что в определенной области составов величина Др проходит через нуль. Катионы Ме2, с одной стороны, вносят свою небольшую долю в проводимость стекол, но, с другой стороны, они подавляют подвижность ( активность) щелочных ионов. [31]
Вначале можно применять скорость охлаждения в 56 С / мин, однако в конце эта скорость должна быть не выше 2 8 С / мин. Из кривой явствует, что при температурах, низших, чем 390 С, проводимостью стекла можно пренебречь; выше этой температуры электропроводность стекла становится заметной и ртечеты, произведенные в подобных условиях, должны быть исправлены. [32]
К основным параметрам фотоэлементов откосятся: интегральная чувствительность К, характеризующая фототек в микроамперах, вызываемый световым потоком в 1 лм. Темновой ток складывается из двух составляющих - термотока за счет термоэлектронной эмиссии катода и тока утечки за счет объемной и поверхностной проводимостей стекла баллона и материала цоколя. Для ионных фотоэлементов тем-новой ток составляет десятые доли микроампера, а для вакуумных еще меньше. [33]
В состав стекол, из которых изготавливаются такие электроды, входят окислы железа ( III и II) или титана ( IV и III), которые обусловливают электронный характер проводимости стекол. [34]
Ионная проводимость при постоянном токе рассматривается как результат перемещения по вакансиям свободных катионов при наличии дефектов по Френкелю. Высокоомные оксидные и халькогенидные стекла чутко реагируют на наличие примесей. Проводимость стекол может повышаться вследствие наличия и других ионов, особенно А - иона. [35]
Рассмотрим вкратце такое необычное явление, как полище-лочпой эффект. Зависимость проводимости стекол от состава проходит через минимум при некоторых средних содержаниях одного IFS оксидов щелочного металла. Как показано па рис. 18.11 я, в трех системах силикатных стекол общего состава 33 3 % А2О, 66 7 % SiO. Однако в смешанных стеклах происходит уменьшение проводимости почти на три порядка. [36]
Вызванное таким неравномерным распределением потенциала по поверхности экрана электрическое поле и приводит к указанным нежелательным явлениям. Падение электронного луча при 01 ведет к повышению потенциала экрана; в случае развертки достаточно интенсивного луча по всей поверхности экрана потенциал его быстро приобретает равновесное значение, приблизительно равное потенциалу анода прожектора. Поэтому паразитное электрическое поле, вызванное проводимостью стекла колбы, следует учитывать лишь при работе с очень малыми токами, а также тогда, когда луч попадает только на отдельные небольшие участки экрана. При малых токах луча заряд, уносимый с экрана вторичными электронами, может оказаться недостаточным для доведения потенциала экрана до равновесного значения. При облучении электронами небольшого участка экрана до равновесного значения будет доведен потенциал лишь этого участка, а наличие соседних участков с более низким потенциалом приведет к появлению местных неоднородных полей. Местные поля могут заметно ухудшить фокусировку луча и привести к большим погрешностям при отклонении луча. Поэтому при необходимости использовать отдельные небольшие области экрана целесообразно периодически облучать весь экран интенсивным электронным пучком для доведения потенциала экрана до равновесного значения, соответствующего потенциалу проводящего покрытия. [37]
 |
Типовые спектральные характеристики фотоэлементов.| Спектральные характеристики фотокатодов. [38] |
Темновой ток состоит из двух составляющих: термотока, вызванного термоэлектронной эмиссией фотокатода, и тока утечки. Вследствие того, что при комнатной температуре термоэлектронная эмиссия составляет лишь 10 - 12 - 10 - 15а с 1 см2 поверхности катода, в большинстве случаев термотоком можно пренебречь. Ток утечки определяется как объемной, так и поверхностной проводимостями стекла баллона и цоколя фотоэлемента. [39]
Вообще при охлаждении получаются те же кривые, что и при нагревании. Впрочем, иногда ветвь охлаждения имеет другое направление и обе ветви совпадают, но ниже их пересечения с линией первоначального нагревания. Сед-дон, Типпетт и Тернер98 нашли такие же перегибы при измерениях проводимости натриево-силикатных стекол ( см. А. [40]
К халькогенидным близки по свойствам оксидные стекла. LbOs - носителя полупроводниковых свойств, а окись металла как модификатор стабилизирует стеклообразное состояние и регулирует проводимость стекла. [41]
Искажающее влияние стенок колбы сказывается также и на усилении умножителя. Оба эффекта уменьшаются в процессе работы умножителя вследствие того, что стенки колбы постепенно заряжаются рассеянными электронами до высокого отрицательного потенциала. Достаточно, однако, даже на короткое время сообщить внешней поверхности баллона потенциал, близкий к нулю, как вследствие заметной проводимости стекла изменится потенциал внутренней поверхности и фон снова возрастет, а усиление уменьшится. Во всех умножителях, у которых металлизированный слой, покрывающий колбу, был присоединен к катоду или первому каскаду, фон умножителя не превышал указанной выше величины - 5 - 8 импульсов в минуту - и не наблюдалось никаких колебаний усиления. [42]
При низких температурах, близких к комнатной, электропроводность стекла ничтожна, и оно является хорошим изолятором. Однако с повышением температуры удельное сопротивление стекла быстро убывает, резко уменьшается и вязкость стекла. В интервале температур порядка 500 - 700 С в зависимости от химического состава стекла, когда ионы, находившиеся в хрупком стекле в малоподвижном состоянии начинают приходить постепенно в движение и становятся переносчиками электричества, проводимость стекла является достаточной для того, чтобы стекло можно было считать проводником. [43]
Накопительным элементом является сигнальная пластина 7, изготовленная из тонкой ( 2 - 3 мкм) стеклянной пленки. Освещенный фотокатод 5 эмиттирует электроны, которые под действием электрического и магнитного полей движутся в направлении сигнальной пластины и, бомбардируя ее, освобождают вторичные электроны, захватываемые положительной сеткой. Поскольку коэффициент вторичной эмиссии больше 1, то на сигнальной пластине появляется проецируемое изображение, образуемое распределением положительных ионов на поверхности стекла. Проводимость стекла выбирается такой, чтобы распределение зарядов было перенесено на противоположную сторону сигнальной пластины. [44]
Чистый окисел V2O5 является полупроводником не только в твердом, но и в жидком состоянии и обладает электронной проводимостью. Стекла, синтезированные на основе V2Os и Р2Оз, также относятся к числу типичных полупроводников ( стр. Однако, находясь в силикатных стеклах в ограниченных количествах, окисел V2O5 теряет электронную проводимость. Например, проводимость стекол состава ( 15 - 25) Na2O - ( 10 - 15) VO2 5 - ( 60 - 75) SiO2, по синтезу, имеет чисто ионный характер, по крайней мере при 200 - 350 и замена SiO2 на VO2 s повышает электросопротивление стекол. Вместе с тем, частичное восстановление V2O5 до V2O4 ведет к снижению сопротивления на 1 5 - 2 порядка. [45]
Страницы: 1 2 3 4