Различная проводимость
Cтраница 2
При плотном соединении полупроводников с различной проводимостью в месте их контакта образуется электронно-дырочный переход, или я-р-переход, который пропускает ток в одном направлении и не пропускает его в обратном. [16]
Однородные слоистые тела заменяются смесями растворов различной проводимости. [17]
Для таких исследований применяют также бумагу различной проводимости ( графитовую бумагу), которая нарезается в соответствии с составляемыми слоями. Повышение проводимости слоя достигается наложением одного на другой соответствующего числа одинаковых листов бумаги, которые соединяются между собой булавками. [18]
 |
Принципиальная схема модуля кадровой раавертки МЗ-2-11. [19] |
Генератор линейно-пилообразного напряжения выполнен на транзисторах различной проводимости с общей коллекторной нагрузкой R4 и емкостной связью между коллектором одного транзистора и базой; другого. На другой вход дифференциального усилителя - базу транзистора VT7 - через конденсатор С9 подается сигнал ООС по переменному току, который снимается с резистора R32, включенного последовательно с кадровыми отклоняющими катушками. База этого же транзистора подключена через резистор R29 к точке соединения эмиттера транзистора VT9 с коллектором транзистора VT11, чем обеспечивается ООС по постоянному току. [20]
Устройство, состоящее из двух полупроводников различной проводимости, называется полупроводниковым диодом. Первый квадрант вольт-амперной характеристики полупроводникового неуправляемого диода ( рис. 41) характеризует работу диода в прямом направлении; при этом приложенное к диоду напряжение в прямом направлении 1 / р, , вызывает увеличение прямого тока / лр через р - - переход. Обратный ток / обр зависит от температуры окружающей среды и приложенного обратного напряжения. При достижении равенства обратного напряжения Ua6o напряжению пробоя U щ л в р - / г-переходе полупроводникового диода происходит увеличение выделяемой мощности. Это приводит к увеличению его температуры и повышению концентрации неосновных носителей, что вызывает резкое увеличение значения обратного тока / 05Р н пробой диода. [21]
Кроме того, на границах зон различной проводимости возникают аномалии, которые зависят, с одной стороны, от угла атаки между направлением излучения и поверхностью раздела и, с другой стороны, от разницы в электрических свойствах обеих сред. Наибольшие осложнения возникают в случае, когда между исследуемой зоной и излучающими устройствами находятся острова, что приводит к пересечению траекторией многочисленных береговых линий. [22]
Чем отличается двухтактная схема на транзисторах различной проводимости от обычной. [23]
По всей видимости, наличие четырех слоев различной проводимости определили применение слова тиристор в обозначении подобной структуры. Однако важной особенностью индукционного тиристора по сравнению с другими управляемыми вентильными приборами ( прежде всего SCR и GTO) является отсутствие внутренней положительной обратной связи Нерегенеративный механизм включения данной структуры позволяет выделить такие важные преимущества, как помехоустойчивость к внешним воздействиям, повышенный диапазон рабочих температур ( более 200 С), возможность переключения анодного тока повышенной плотности. Индукционный тиристор сочетает высокую перегрузочную способность по току с быстрым протеканием процессов переключения. Проводящее состояние рассматриваемой структуры обеспечивается простым снятием отрицательного напряжения управления на затворе. При этом со стороны анодного р - слоя осуществляется инжекция дырок, приводящая к модуляции высо-коомного эпитаксиального лГ - слоя. Так как на пути протекания анодного тока находится всего один р - л - - переход, прямое падение на открытом SITh значительно меньше, чем у тиристоров с обычной р-п-р-п - структу-рой. Температурная зависимость данного напряжения определяется положительным температурным коэффициентом сопротивления наиболее выскоомного эпитаксиального л - - слоя и отрицательным для р - п - - пере-хода Результирующее воздействие при высоких плотностях анодного тока всегда положительно, поэтому в структуре наблюдается естественное выравнивание токов между отдельными ячейками. [24]
В полупроводниковых приборах используются полупроводники, обладающие различной проводимостью. В месте их соприкосновения образуется электронНо - дырочный переход, сопротивление которого зависит от полярности напряжения, приложенного к каждому из полупроводников. Если же полярность напряжения изменить на обратную ( рис. 5.286), то сопротивление перехода намного возрастает и через полупроводник будет протекать чрезвычайно малый ток. [25]
Каждый ключ выполнен в виде параллельного соединения МОП-транзисторов различной проводимости ( см. рис. 3.19), поэтому сопротивление замкнутого ключа почти не зависит от уровня коммутируемого сигнала. [27]
В обоих направлениях индукция не остается постоянной вследствие различной проводимости путей магнитного потока в зазоре. Эти действительные картины распределения индукции неудобны для расчета; поэтому они заменяются другими приведенными картинами, которые, с одной стороны, позволяли бы производить расчет с наибольшей простотой, а с другой стороны, давали бы достаточно точные результаты. Метод, при котором, действительная сложная картина заменяется: приведенной, называется методом приведения и имеет в электротехнике важное значение. [28]
Если проводник неоднороден, например имеет участки с различной проводимостью, но постоянное сечение ( рис. 136), плотность тока / I / S по необходимости постоянна, но этого нельзя сказать о напряженности поля. [29]
Рассмотрим установившееся фильтрационное течение в неоднородной среде с включениями различной проводимости. [30]
Страницы: 1 2 3 4