Cтраница 4
Главное отличие заключается в накоплении свободных зарядов на границах раздела слоев различной проводимости, что приводит к наличию в многослойных конденсаторах добавочной емкости. Величина последней определяется частотой прилагаемого к электродам напряжения, с ростом частоты величина добавочной емкости уменьшается. Выбор рабочей частоты ( в наших измерениях 2 - Ю4 гц) обусловлен, с одной стороны, величиной постоянной времени для процесса перераспределения полей, с другой стороны, стремлением сохранить высокую чувствительность измерительной схемы. [46]
Выше уже говорилось, что неоднородный пласт представляется набранным из участков различной проводимости, каждый из таких участков по площади равен зоне дренирования одной скважины. Считается, что полоса с одним нагнетательным и тремя эксплуатационными рядами скважин содержит четыре цепочки участков. [47]
На рис. 1 приведены две кривые для двух кристаллов свинцового блеска различной проводимости; как видно, и здесь влияние проводимости толщи вполне аналогично вышеописанному. [48]
В пластинке из германия или кремния транзистора имеются три области с различной проводимостью к дна перехода между ними. Средняя область называется базовой, или сокращенно базой транзистора, з прилегающие к ней с двух сторон две другие - з м и т т е р в о и нколлекторной областями. Эдектрсишо-дырочный переход между базовой и змиттерной областями называют эмйттерным переходом, а переход между базовой и коллекторной областями - коллекторным переходом. [49]
На рис. 90 представлена схема транзистора, изготовленного из полупроводников с различной проводимостью: два крайних слоя имеют дырочную проводимость, а средний слой, находящийся между ними, - электронную. [50]
Междуслойная поляризация обусловлена проводящими и полупроводящими включениями и наличием слоев е различной проводимостью. [51]
Условные графические обозначения транзисторов.| Схематическое изображение транзистора. [52] |
Основным элементом транзистора является кристалл германия, в котором созданы три области различных проводимостей. [53]
Интересно отметить, что Дэви - автор широко известного наглядного олыта, показывающего различную проводимость металлов: звенья цепи составляются из металлов разной проводимости; увеличивая силу тока, раскаляют цепь; при этом звенья обнаруживают разную степень нагретости. [54]
Зависимость магниторези-стивного отношения от индукции для эвтектических сплавов InSb-NiSb с различной степенью легирования теллуром. [55] |
На рис. 2.17 приведена зависимость магниторезистив-яого отношения Ra / Ro для материалов с различной проводимостью 0 от значения магнитной индукции В. При значениях индукции до 0 3 Тл эта зависимость имеет квадратичный характер, затем постепенно становится линейной и остается такой до 10 Тл. Эти кривые остаются неизменными и для переменных магнитных полей до частот гигагерцевого диапазона при условии, что магниторезистору из этого материала будет придана соответствующая форма. Для магниторезистора, изготовленного из эвтектического сплава InSb - NiSb, существует такое направление вектора В, при котором магниторезистивное отношение достигает своего наибольшего значения. [56]
Образование несимметричного ( а и симметричного ( б р-и-переходов. [57] |
Следует отметить, что электронно-дырочный переход нельзя получить простым соприкосновением полупроводниковых тел с различной проводимостью, как было описано ранее, из-за наличия неровностей и неизбежных оксидных покрытий соприкасающихся поверхностей. Настоящий р-я-переход получают в одном монокристалле, в который особыми технологическими способами впрыскивают примесные атомы. Размеры - - перехода и его приграничных слоев зависят от концентрации примесных атомов NR и Na. [58]