Темновая проводимость

Cтраница 1

Темновая проводимость всех кристаллов находилась в последней, неточной области измерений ( 10 3 Q) тераомметра Е б - 3, чем обусловлена неточность данных. [1]

Проекция на кристаллографическую плоскость ас кристаллической структуры высоко - и низкотемпературных модификаций кристалла ПТС. Обозначения. зигзаг - места пересечения плоскости двойной винтовой осью, О - центр симметрии, изломанные стрелки - плоскости скольжения. в низкотемпературной модификации кристалла А и В соответствуют различной конформации боковых групп. [2]

Темновая проводимость кристаллов также сильно анизотропна. [3]

Влияние температуры осаждения ( а - г - слоя, б - п-слоя. в - р-слоя на фотоэлектрические свойства солнечных элементов р-г-и / оксиды индия - олова на основе a - Si. Н, изготовленных на зеркально полированной пластине. Нерж. ст. - нержавеющая сталь. ОНО - оксиды индия - олова. Var. - переменная. [4]

Исследовались темновая проводимость и энергия активации слоев a - Si: Н толщиной 0 6 - 1 0 мкм, приготовленных ВЧ тлеющим разрядом на стеклянных подложках при различных температурах. [5]

Кривая темновой проводимости ( кривая а) имеет две точки перегиба и совершенно отличается от того, что мы наблюдаем при сравнительно малой концентрации [ З - ловушск. Коль скоро почти все примесные атомы ионизированы ( что и имеет место в этих образцах), уменьшение проводимости связано с уменьшением подвижности электронов при увеличении температуры. [6]

Величиной темновой проводимости CdP2 можно управлять путем отжига в вакууме в течение нескольких часов. [7]

Зависимость темновой проводимости пленок a - Si, - xGcx: Н от состава ( х) можно описать простой кривой, рассчитанной на основе правила Мейера-Нельделя, используя единый предэкспоненциальный множитель, что дает основание предполагать отсутствие различия в кинетике переноса в пленках а - Л; Н и а - С. [8]

Зависимость энергии активации электропроводности отр2о для волокон из полиакрилонитрила, подвергнутых термическому превращению при различных температурах. [9]

Энергия активации темновой проводимости, вычисленная из уравнения ss0e - E / 2kT для большинства полимеров с системой сопряженных связей лежит в пределах 0 1 - 3 5 эв. [10]

Для появления темновой проводимости ( без предварительного освещения) в кристаллах рассматриваемых красителей требуется термическая энергия. [11]

Температурная зависимость проводимости для пленок красителей в вакууме. [12]

Величины фактора темновой проводимости а и термической энергии активации E f, полученные для многих красителей, лежат в довольно широких пределах, и до сих пор не найдено никакой простой связи между этими величинами и классом красителя или его структурой. Правда, кажется, существует качественное соотношение между з0 и Ет в том смысле, что большие значения а0 часто связаны с большими значениями Ет. Такое соотношение хорошо известно в кинетике многих физико-химических процессов. [13]

Здесь OQ - темновая проводимость, а, - удельная фотопроводимость. [14]

В закиси меди темновая проводимость имеет характер переноса положительных дырок. Если механизм темновой проводимости отличен от световой, то убедительность результатов опытов, изображенных на рис. 2, несколько снижается. Однако свойства полупроводников с заведомо электронной проводимостью ( ZnO, W03) так хорошо совпадают со свойствами закиси меди, что необходимо и электронам и дыркам приписать один общий механизм повышения электропроводности. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5