Темновая проводимость

Cтраница 2

В закиси меди темновая проводимость имеет характер переноса положительных дырок. Если механизм темновой проводимости отличен от световой, то убедительность результатов опытов, изображенных на рис, 2, несколько снижается. Однако свойства полупроводников с заведомо электронной проводимостью ( ZnO, W03) так хорошо совпадают со свойствами закиси меди, что необходимо и электронам и дыркам приписать один общий механизм повышения электропроводности. [16]

Одновременно уменьшается и темновая проводимость окиси цинка. [17]

Термические энергии активации темновой проводимости Ет, очевидно, относятся к локальным примесным уровням, действующим как ловушки. Поверхностные ловушки, вероятно, создаются избыточными атомами Т1 на поверхности, так как их число увеличивается при эвакуации и уменьшается при адсорбции паров иода. Действие адсорбированных молекул 12 не сводится к этому. Они, по-видимому, создают глубокие ловушки ( 1.0 - 1.2 эв), которые ответственны за длинноволновую фотоэлектрическую чувствительность ТП и в то же время за процесс сенсибилизации. [18]

С понижением температуры уменьшается темновая проводимость служащая фоном, на котором появляется фотопроводимость, а поэтому роль фотопроводимости возрастает. Кроме того, увеличивается и абсолютное значение фотопроводимости. Это можно объяснить тем, что с уменьшением концентрации тепловых носителей заряда уменьшается вероятность рекомбинации фотоносителей заряда. [19]

Электропроводность же складывается из темновой проводимости о о и световой Да, также пропорциональной силе света. [20]

Электропроводность же складывается из темновой проводимости а0 и световой Да, также пропорциональной силе света. [21]

При низких температурах возвращение к темновой проводимости протекает со значительным запаздыванием. [22]

Методы исследования электронной проводимости включают измерение темновой проводимости, эффекта Холла и термозлектродвижущей силы. [23]

Полярная диаграмма анизотропии фототока в стильбене.| Спектральная чувствительность фототока в пирене при постоянной падающей энергии ( А и при постоянной поглощенной энергии ( С. Край поглощения кристалла обозначен кривой В. [24]

Пик и Виссман [131] изучали анизотропию темновой проводимости для нафталина, а Дрефаль и Хенкель [38] - анизотропию фотопроводимости для стильбена. На рис. 17 представлена полярная диаграмма этой анизотропии в плоскости ас. [25]

Энергии активации фотопроводимости и фототок. [26]

Инокути [69] изучал влияние давления на темновую проводимость вио-лантрона и изовиолантрона. С увеличением давления проводимость этого соединения резко возрастает: при подъеме давления до 300 кг / см2 она увеличивается в 500 раз. [27]

Как показано в [10.56-10.58], основной механизм темновой проводимости LiNbO3 это ионная проводимость с энергией активации Wa ж 1.1 эВ и характерным временем диэлектрической релаксации Тдг - 106 с при комнатной температуре и Ш с при Т 240 С. [28]

Модель кристаллической структуры антрацена ( по Метте и Пику. [29]

Метте и Пик довольно тщательно изучили характеристики темновой проводимости антрацена. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5