Cтраница 1
Распределение электронов по уровням валентной зоны и зоны проводимости в собственном полупроводнике. [1] |
Собственная проводимость возникает в результате перехода электронов с верхних уровней валентной зоны в зону проводимости. При этом в зоне проводимости появляется некоторое число носителей тока - электронов, занимающих уровни вблизи дна зоны; одновременно в валентной зоне освобождается такое же число мест на верхних уровнях, в результате чего появляются дырки. [2]
Собственная проводимость возрастает при повышении температуры. [3]
Идеальная польт-ампер. ая характеристика перехода ( а и в зависимости от температуры окружающей среды ( б. [4] |
Собственная проводимость i олупроводника повышается, и при высоких температур ix становится больше примесной проводимости Происходит лавинообразное встречное движение электронов и дырок собственной проводимости, в результате чего ис езает приконтактная разность потенциалов, и Р - УУ-пер ход теряет свойства односторонней проводимости. [5]
Собственная проводимость в чистом виде имеет место только в кристаллах полупроводников, лишенных примесей. В таких кристаллах атомы равномерно размещены в узлах решетки. [6]
Собственная проводимость возникает в результате перехода электронов с верхних уровней валентной зоны в зону проводимости. [7]
Собственная проводимость и емкость самого выключателя не равны нулю и влияют на напряжение, восстанавливающееся на контактах выключателя после гашения дуги. [8]
Схема возникновения пары электрон проводимости ( / - дырка ( 2. [9] |
Собственная проводимость обусловлена тем, что при тепловом возбуждении электронов происходит их переход из валентной зоны в зону проводимости. Эти электроны под действием разности потенциалов движутся в определенном направлении и обеспечивают электронную проводимость полупроводников. При переходе электрона в зону проводимости в валентной зоне остается вакантное место - дырка, эквивалентное присутствию единичного положительного заряда. Дырка также может перемещаться под действием электрического поля в результате перескока на ее место электрона валентной зоны, но в сторону, противоположную движению электронов зоны проводимости, обеспечивая дырочную проводимость полупроводника. [10]
Простейшие диаграммы энергетических уровней полупроводника. [11] |
Собственная проводимость обусловлена генерацией пар электрон проводимости - дырка проводимости. Для германия энергия запрещенной зоны Wu равна 0 72 эв, для кремния - 1 12 эв. [12]
Собственная проводимость возникает за счет нарушения валентных связей. [13]
Собственные проводимости узлов и взаимные проводимости между узлами даны в миллисименсах, а ток - в миллиаперах. [14]
Температурный ход электропроводности германия с примесями мышьяка. [15] |