Собственная проводимость
Cтраница 3
Когда собственная проводимость становится заметной, необходимо рассматривать еще два процесса, приводящих к увеличению теплопроводности. [31]
Ее собственная проводимость достаточно низка. Диапазон ее окислительно-восстановительной устойчивости очень велик, как видно из приведенных ниже потенциалов. [32]
Термин собственная проводимость подчеркивает то обстоятельство, что в этом случае проводимость полупроводника существенно зависит только от свойств самого вещества, а не от присутствующих в нем примесей, определяющих его поведение при более низких температурах. [33]
Когда собственная проводимость становится заметной, необходимо рассматривать еще два процесса, приводящих к увеличению теплопроводности. [34]
Почему собственная проводимость при больших температурах увеличивается. [35]
При собственной проводимости концентрация электронов и дырок в полупроводнике одинакова. На практике обычно приходится сталкиваться с полупроводниками, обладающими так называемой примесной проводимостью. В таких полупроводниках электрическая проводимость осуществляется в основном за счет движения зарядов одного знака - электронов или дырок. Чтобы получить электронную или дырочную проводимость, достаточно ввести один атом примеси на 108 атомов полупроводника. Атомы примеси в кристаллической решетке германия и кремния обычно замещают часть основных атомов в узлах решетки. [36]
Изменение собственной проводимости при повышении температуры приводит к изменению характеристик и рабочих параметров транзистора. Во избежание этого в транзисторные схемы вводят соответствующие компенсирующие элементы. [37]
Помимо собственной проводимости, в полупроводниках существенную роль играет так называемая примесная проводимость. Она связана с наличием в решетке посторонних примесей или иных структурных дефектов. Подобного рода нарушения идеальной периодической структуры решетки приводят к локальным отклонениям поля от чисто периодического. В результате в энергетическом спектре электронов могут появиться дискретные уровни, лежащие в запрещенной зоне ( см. фиг. Волновые функции, соответствующие этим уровням, практически отличны от нуля лишь в некоторой области вблизи данного дефекта, благодаря чему дискретные уровни иногда называются локальными. [38]
Изменение собственной проводимости при повышении температуры приводит к изменению характеристик и рабочих параметров транзистора. Во избежание этого в транзисторные схемы вводят соответствующие компенсирующие элементы. [39]
Прямая собственной проводимости не меняется от одного образца бромистого серебра к другому. [40]
 |
Зависимость удельного сопротив - Для изготовления травления л-германия от температуры и степени зисторов применяют легирования кремний с удельным сопротивлением от 0 01 до. [41] |
Явление собственной проводимости наступает при больших температурах у материалов, сильнее легированных примесями. [42]
Кроме собственной проводимости, в полупроводниках наблюдается еще и примесная проводимость. Она появляется благодаря присутствию в полупроводнике атомов некоторых примесей. Если, например, в кремнии имеется примесь сурьмы или другого элемента пятой группы таблицы Д. И. Менделеева, то происходит следующее явление. Атом сурьмы имеет пять валентных электронов, четыре из них образуют ковалентные связи с соседними атомами кремния, а пятый электрон очень легко переходит в зону проводимости. Таким образом, получается полупроводник ( кремний) га-типа с электронной проводимостью. Название n - тип произошло от английского слова negative - отрицательный. Добавки, подобные сурьме, создающие электроны проводимости в полупроводниках, называются донорами. Электрический ток в полупроводниках n - типа осуществляется только электронами доноров, поскольку их в 105 - 107 раз больше, чем собственных носителей зарядов полупроводника. [43]
Кроме собственной проводимости узла выделяют в цепи и другой вид проводимости - между двумя узлами, ко-торую называют их общей проводимостью. [44]
Исключение собственной проводимости замороженной жидкости пробы с помощью золотой пленки является достаточным условием для инициирования искрового разряда, однако количественное определение состава зависит еще от других факторов, которые должны быть предварительно выяснены. [45]
Страницы: 1 2 3 4