Дополнительная проводимость

Cтраница 2

Зависимость удельного электрического сопротивления водоносных пород р от пористости k при различной минерализации воды и зернистости пород ( по Н.С. Гудок. [16]

В этом случае, как отмечалось выше, электропроводность породы при низкой минерализации воды увеличивается из-за дополнительной проводимости поверхностных слоев глинистого материала, а при высокой минерализации воды с ростом пористости - за счет упрощения структуры перового пространства из-за снижения количества глинистого цемента. [17]

Кроме того, почти все существующие методы требуют для производства измерений введения между фазой и землей дополнительной проводимости, что также увеличивает цикл измерения. [18]

В этой связи заслуживает внимания метод определения сопротивлений изоляции отдельных фаз, требующий только трех несовпадающих во времени измерений без введения дополнительной проводимости. [19]

При малом числе вариантов синтеза орграфов г & к нг к / производят их объединение, а при необходимости вводят в вес той или иной вершины дополнительные проводимости. Однако более типичным является случай с большим числом вариантов синтеза. Поэтому по ранее сформированным коэффициентам Ь ] Л строят различные элементарные графы г - ь и весь орграф e Kj на смешанном графе ГА, приняв в нем одну из вершин в качестве общей ( 0) и введя дополнительную входную вершину и необходимые дуги. Далее можно в этом графе удалить ребра, соединяющие общую вершину 0 и вершину, смежную с входной, если тип ребра ( g или sC) совпадает с типом смежной дуги. При таком преобразовании графа уменьшается число элементов в синтезируемой схеме, но многочлены Ва ( s) и Ла ( s) остаются неизменными, а некоторое уменьшение числа слагаемых в многочлене Л ( s) часто можно компенсировать при параметрическом синтезе. [20]

Практически в цехах с встроенными или близко расположенными подстанциями, достаточно насыщенных технологическим оборудованием, Unp при замыканиях на корпус не превышает 10 - 12 В вследствие дополнительной проводимости, создаваемой многочисленными связями с землей через зануленные металлические части электроустановок и имеющийся с ними электрический контакт и трубопроводы различных коммуникаций. Однако для удаленных от подстанции небольших объектов без водопровода иар сохраняет опасное значение. Для снижения опасности эффективно устройство дополнительных местных очагов повторного заземления нулевого провода, выполняемых в виде контурного заземления. [21]

При пользовании прибором следует помнить, что во второй фазе измерения нельзя ограничиваться только выпуском раствора из второго сифона, оставляя последний в приборе, но обязательно следует удалять из прибора сифон, так как оставшаяся после выпуска жидкости пленка раствора на внутренней поверхности сифона будет создавать дополнительную проводимость, что, конечно, даст значительную ошибку. Ввиду того, что температура раствора в сифонах может изменяться, перед каждым измерением необходимо производить перемешивание жидкости сифона с жидкостью стаканчиков путем двух - трехкратного выпуска жидкости из сифонов в стаканчики и обратного всасывания. [22]

Чем ниже температура, тем более заметно при данном значении поля относительное увеличение проводимости. Дополнительная проводимость, следовательно, увеличивается с температурой намного медленнее, чем проводимость в слабых полях; чем сильнее поле, тем больше температурный коэффициент. [23]

Повышение концентрации носителей заряда вследствие генерации их светом вызывает повышение проводимости полупроводника. Эту дополнительную проводимость называют фотопроводимостью в отличие от темновой проводимости, обусловленной тепловым возбуждением носителей. [25]

При поглощении ультрафиолетового, а иногда и видимого света электроны из валентной зоны поднимаются в полосу проводимости и вследствие того, что данная зона служит обобществленным уровнем всего кристалла, получают возможность свободно перемещаться по нему. Возникающая при этом дополнительная проводимость кристалла называется фотопроводимостью. [26]

Эквивалентная схема диодного промежутка с виртуальным катодом. [27]

Зарядка емкости соответствует накоплению пространственного заряда в области виртуального катода и увеличению провисания потенциала в диодном промежутке. Подключение к цепи некоторой дополнительной проводимости GI в момент превышения напряжением на емкости С некоторого порога приводит к разряду емкости. Последнее эквивалентно сбросу заряда из области виртуального катода. [28]

Световой поток, падая на фоточувствительный слой фоторезистора, может генерировать неравновесные носители заряда. Участвуя в электропроводности, они создают дополнительную проводимость, называемую фотопроводимостью. Общую проводимость фоторезистора называют световой. [29]

При проектировании искусственных заземлителей должна быть учтена дополнительная проводимость, создаваемая контурными заземлителями, укладываемыми на дно котлована. [30]

Страницы: 1 2 3 4