Cтраница 3
В результате появляется зависимость коэффициента передачи ао от постоянного смещения на коллекторе или величины1 сопротивления нагрузки в цепи коллектора при фиксированном напряжении питания. Кроме того, между коллектором и базой появляется дополнительная проводимость, определяемая как отношение приращения тока коллектора к прир а-шению напряжения на коллекторе. [31]
В дальнейшем вопрос о поверхностных уровнях неоднократно обсуждался ( см., например, [2]), но их влияние на свойства кристалла до сих пор, насколько нам известно, остается недостаточно ясным. С другой стороны, даже для идеальной поверхности было бы трудно наблюдать дополнительную проводимость, обусловленную наличием частично заполненных поверхностных уровней, в силу шунтирующего действия объемной проводимости. [32]
Транзисторы сохраняют свою работоспособность после воздействия относительной влажности 95 - - 98 % при температуре до 40 С. Следует подчеркнуть, что именно после выпадания росы или покрытия корпуса инеем возникают дополнительные проводимости между электродами, нарушающие нормальную работу транзистора. Воздействия соляного ( морского) тумана и плесниевых грибков в условиях тропиков требуют специальных покрытий корпусов транзисторов. [33]
Для разделения полной проводимости j / s на активную составляющую gz и реактивную 6Е известно несколько способов. Следует при этом заметить, что ток замыкания на землю не изменится, если дополнительную проводимость у подключать к той же фазе, в которой производились измерения напряжения U a и ток замыкания / аз при определении уг. [34]
Если для определения общей проводимости и ее активной и реактивной составляющих, как было показано, потребовалось не менее трех несовпадающих во времени измерений, то для определения проводимостей отдельных фаз, очевидно, таких измерений должно быть еще больше. Кроме того, почти все существующие методы требуют для производства измерений введения между фазой и землей дополнительной проводимости, что также увеличивает цикл измерения. Все это может привести к тому, что вычисленные параметры изоляции будут отличаться на неопределенныг величины от действительных. [35]
Сеточное и анодное переменные напряжения гетеродина по схеме Колпитца а зависимости от положения переменного конденсатора.| Схема двухсеточного преобразования частоты на триод-октоде. [36] |
Изображенная на рис. 17 - 20 схема гетеродина с индуктивной обратной связью ( схема Мейснера, § 18 - 12) работает с практически постоянным коэффициентом обратной связи. Непосредственно перед электродом, служащим анодом гетеродина, включено демпфирующее сопротивление Rd, которое противодействует происходящему при снижении емкости переменного конденсатора уменьшению Оконт это противодействие создается появлением возрастающей дополнительной проводимости. [37]
Теория Фаулера приписывает увеличение проводимости переходу электронов с уровня Ферми металлического электрода в свободную зону полупроводника. Получается, как будто замена металла полупроводником или проводящим электролитом с другим распределением энергетических уровней относительно химического потенциала полупроводника будет изменять вероятность перехода электронов, а поэтому и дополнительную проводимость в сильных полях. [38]
Здесь L - отношение k / a в законе Видемана - Франца, а1 и аа - электропроводности дырок и электронов, рассмотренные отдельно, а г определено выше. Формула Давыдова и Шмушкевича была забыта и вновь выведена Прайсом в 1955 г. Она была подтверждена экспериментально на материалах типа Bi2Te3, где как только появлялась собственная проводимость, так сразу же обнаруживалась и дополнительная проводимость Д &, значение которой хорошо согласуется с величиной, вычисленной из приведенной формулы. [39]
Видемана - Франца, QJ и о2 - электропроводности дырок и электронов, рассмотренные отдельно, а г определено выше. Формула Давыдова и Шмушкевича была забыта и вновь выведена Прайсом в 1955 г. Она была подтверждена экспериментально на материалах типа Bi2Te3, где как только появлялась собственная проводимость, так сразу же обнаруживалась и дополнительная проводимость Д / с, значение которой хорошо согласуется с величиной, вычисленной из приведенной формулы. [40]
Поскольку для генерации свободных носителей зарядов в полупроводнике нужна меньшая энергия, чем для вырывания электронов из вещества, внутренний фотоэффект можно вызвать более длинноволновым излучением, лем внешний. У некоторых полупроводников внутренний фотоэффект создается инфракрасными лучами, ито имеет важное значение для практики. Дополнительная проводимость полупроводника, обусловленная облучением, называется фотопроводимостью. [41]
В полупроводниковом фоточувствительном слое фоторезистора, находящемся в темноте, при определенной температуре имеется некоторая концентрация носителей заряда. Световой поток, падая на фоточувствительный слой фоторезистора, может генерировать неравновесные носители заряда. Участвуя в электропроводности, они создают дополнительную проводимость, называемую фотопроводимостью. [42]
В противоположность гетеродину по схеме Колпитца в схемах гетеродинов с индуктивной связью колебательный контур можно включать как в цепь сетки, так и в цепь анода. В последнем варианте, если коэффициент трансформации выбран таким, что переменное анодное напряжение значительно больше, чем переменное сеточное напряжение, получают лучшую стабильность частоты. Она, правда, почти всегда хуже, чем стабильность при схеме Колпитца, так как добротность контура снижена дополнительной проводимостью Одоп, что может особенно сильно сказываться нз верхнем конце частотного диапазона. [43]
Схема защитного отключения с реакцией па напряжение фазы относительно земли. [44] |
Схема защитного отключения с реакцией на напряжение фазы относительно земли. Реле минимального напряжения 1KV - 3KV ( датчики) включены между фазами и землей согласно рис. 10.22. При исправной и одинаковой по проводимости изоляции фаз относительно земли ( проводимости yaybyc & Q) реле находятся иод одинаковым фазным напряжением. В случае повреждения изоляции или значительного уменьшения сопротивления изоляции какой-либо фазы относительно земли, например в случае прикосновения человека к неизолированному проводу фазы А, образуется дополнительная проводимость этой фазы относительно земли е зек. При этом нарушается симметрия напряжений и напряжение фазы А относительно земли уменьшается. Когда напряжение понизится до значения уставки, реле сработает и его контакты замкнут цепь питания отключающей катушки электромагнита У AT автоматического выключателя SF, который и отключит данную сеть. [45]