Параллельная проводимость

Cтраница 2

В процессе разработки конструкции направленных ответвителей необходимо также учитывать неоднородности, возникающие в местах подключения шлейфов ( Т - со-единения), которые по своему действию эквивалентны параллельной проводимости инд 7ктивного характера. Реактивность соединения играет существенную роль особенно на высоких частотах. [16]

Коррекция длины шлейфов направленного ответвителя.| Графики коррекции величины нормированной проводимости отрезков полоскового волновода между шлейфами. [17]

В процессе разработки конструкции направленных ответвителей необходимо также учитывать неоднородности, возникающие в местах подключения шлейфов ( Т - со-единения), которые по своему действию эквивалентны параллельной проводимости индуктивного характера. Реактивность соединения играет существенную роль особенно на высоких частотах. [18]

Получение реактивной проводимости путем включения в волновод коаксиального шлейфа.| Параллельное и последовательное включение волноводных шлейфов.| Электрическое поле и токи в плоскости со щелью.| Гантельная щель.| Щели, прорезан.| Щель, прорезанная в узкой стенке волновода.| Поперечнтя щель ( последовательное соединение волноводов. [19]

В зависимости от местоположения и ориентации оси щели величина связи сильно изменяется; при этом по отношению к основному тракту щель может представлять собой как последовательное сопротивление, так и параллельную проводимость. [20]

При известных Z, oo, N и Ч о при помощи соотношений (1.62) - (1.65) находим требуемые величины иидуктивностей и емкостей одиозвенных П - образ-ных фильтров, из которых собирается БК - С учетом суммирования параллельных проводимостей получим принципиальную схему БК, которая изображена иа рис. 5.4, а. По известным величинам индуктивностей и емкостей фильтров БК при помощи соотношений (2.8), (2.7) или данных рис. 2.5 находятся их геометрические размеры, а затем разрабатывается топология устройства. Один из возможных вариантов платы БК, выполненного с использованием навесных конденсаторов типа КЮ-9 и конструктивных катушек индуктивности, изображен иа рис. 5.4 6, а рабочие характеристики устройства, измеренные в метровом диапазоне длин волн, приведены на рис. 5.4, в. Из рис. 5.4, в видно, что рассчитанное по вышеизложенной методике БК соответствует заданным требованиям. [21]

Возможность замены активного двухполюсника ( рис. 2 - 11, а) источником напряжения и последовательным сопротивлением ( рис. 2 - 11 6) называют теоремой Те-в е н е н а, а возможность замены источником тока и параллельной проводимостью ( рис. 2 - ll s) теоремой Нортона по имени ученых, впервые доказавших применимость соответствующих эквивалентных схем. [22]

Как можно видеть, степень совпадения кривых достаточно хорошая. Это объясняется наличием остаточной параллельной проводимости В ( см. рис. 16.04.8 б) высокоом-ной линии связи с общим соединением. [23]

Расчет частоты собственных колебаний системы начинается с вычерчивания соответствующей схемы и преобразования ее в приемлемую упрощенную эквивалентную цепь. В первом приближении последовательными активными сопротивлениями и параллельными проводимостями часто пренебрегают; элементы схемы заменяются соответственно выбранными индуктивностями и емкостями. [24]

Проектирование соединений между элементами БИС требует учета многих факторов. В режиме переходных процессов последовательные реактивные сопротивления и параллельные проводимости вызывают задержку управляющих и выходных импульсов в шинах слов и разрядов, которая может ограничивать быстродействие ИС. Наиболее быстродействующие полупроводниковые ЭП характеризуются временами записи и считывания, по порядку величины равными 1 не. В то же время скорость распространения сигнала в линиях связи может быть меньше 109 см / с. При этом задержка сигнала в межсоединениях становится сравнимой с инерционностью ЭП при длине соединения, равной по порядку величины 1 см. Если линейный размер ЭП на кристалле составляет 100 мкм, то вдоль линии длиной 1 см размещается всего лишь 102 ЭП. Из этих рассуждений следует, что задержка сигнала в линиях связи между элементами может стать фактором, ограничивающим информационную емкость ИС. Кроме того, реактивные и активные последовательные сопротивления и параллельные проводимости вызывают спад амплитуды фронта импульса, величина которого также зависит от числа и размеров ЭП, подключенных к шине. [25]

В волноводах используются только шунтирующие неоднородности, которые оставляют неизменным вектор электрического поля ( или вектор напряжения) по обе стороны от неоднородности. Такие неоднородности эквивалентны ( те же матрицы) параллельной проводимости, если их толщина очень мала по сравнению с длиной волны. [26]

Зависимость приведенной параллельной проводимости от размероз отверстия диафрагмы.| Зависимость проводимости от толщины прямоугольной диафрагмы.| Емкостная диафрагма произвольной формы. [27]

Недостатком емкостных диафрагм является заметное уменьшение электрической прочности волновода в месте их установки. По сравнению с индуктивными диафрагмами при емкостных диафрагмах труднее получить большую величину параллельной проводимости, так как в этом случае ширина щели становится слишком малой. [28]

Неоднородность в соединении между двумя линиями передачи может возникнуть либо вследствие изменения в поперечном сечении, либо вследствие поперечного смещения осей. В общем случае эта особенность может быть представлена эквивалентной схемой, включающей реактивную параллельную проводимость и изменение волнового сопротивления. Такая эквивалентная схема справедлива только для достаточно больших расстояний от неоднородности, где волны высшего порядка затухают до ничтожных величин. [29]

Типовые четырехполюсники с источником напряжения на входе. [30]

Страницы: 1 2 3