Параллельная проводимость - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Правила Гольденштерна. Всегда нанимай богатого адвоката. Никогда не покупай у богатого продавца. Законы Мерфи (еще...)

Параллельная проводимость

Cтраница 3


Указанная выше замена источника тока источником напряжения на входе ( и соответственная замена сопротивления Z2i проводимостью F2i) достигается благодаря использованию полной дуальности четырехполюсников. Такое требование легко реализуется путем применения теоремы Тевенена к источнику тока с принадлежащей ему параллельной проводимостью.  [31]

При таком подходе можно учесть все побочные явления, связанные с физическими размерами общего соединения. Однако, когда собственное его влияние относительно мало, ур-ние (16.04.17) вместе с возможными коррекциями, учитывающими любую параллельную проводимость, о которой известно, что она подключена а входы фильтров, должны давать очень хорошую оценку мдаимой части проводимости Ут.  [32]

При таком подходе можно учесть все побочные явления, связанные с физическими размерами общего соединения. Однако, когда собственное его влияние относительно ало, ур-ние (16.04.17) вместе с возможными коррекциями, учитывающими любую параллельную проводимость, о которой известно, что она подключена а входы фильтров, должны давать очень хорошую оценку мнимой части проводимости YT.  [33]

Такой порядок расчета потерь не требует наличия информации о токораспределении в сети и может быть применен как при расчетах с помощью коэффициентов распределения, так и с помощью сопротивлений влияния. При расчетах с помощью коэффициентов распределения можно также выполнить расчеты потерь мощности по данным о токах участков и параллельных проводимостях пунктов.  [34]

35 Цепная схема. [35]

Разложение функции Y ( р) отличается от разложения Z ( р) тем, что первое частное представляет собой проводимость YI. Соответственно схема, реализующая разложение функции Y ( р) в непрерывную дробь, начинается не с последовательного сопротивления, а с параллельной проводимости.  [36]

По числу независимых контуров первичных обмоток все фиксированные схемы рассматриваемых нами выпрямителей можно разделить всего на два класса: соединенные в треугольник и соединенные в звезду. Число независимых контуров вторичных обмоток зависит от двух факторов: разомкнута ( звезда, зигзаг) или замкнута ( треугольник, многоугольник) вторичная обмотка, и сколько вентилей одновременно и параллельно проводят ток. Следует различать параллельную проводимость вентилей от одновременной проводимости, потому что эти два условия не совпадают. Два вентиля могут проводить ток одновременно в одном контуре, если они соединены последовательно, например в мостовой схеме, и в двух контурах, если они соединены параллельно, например в сложной схеме с уравнительным реактором или в лучевой схеме при перекрытии.  [37]

Как можно видеть, степень совпадения кривых достаточно хорошая. Это объясняется наличием остаточной параллельной проводимости В ( см. рис. 16.04.8 б) высокоом-ной линии связи с общим соединением.  [38]

Поэтому в этих методах обычно используются частоты, превышающие 1 МГц. При более высоких значениях tg 5 затрудняется точная настройка в резонанс, что обусловлено чрезмерным затуханием в измерительном контуре. Кроме того, если эффективная параллельная проводимость цепи слишком высока, то соотношения обычно используемые для расчета импеданса, становятся неприемлемыми.  [39]

Реальные источники отличаются от идеальных прежде всего тем, что напряжение и токи на их выводах зависят от присоединенной нагрузки. Так, падение напряжения с ростом тока в простейшем реальном источнике постоянного напряжения можно учитывать, включая последовательно сопротивление RI ( рис. 1.8, г), а уменьшение тока с ростом напряжения-включением параллельной проводимости G. В случае источников переменного напряжения или тока требуется включать также элементы /, и С.  [40]

Проектирование соединений между элементами БИС требует учета многих факторов. В режиме переходных процессов последовательные реактивные сопротивления и параллельные проводимости вызывают задержку управляющих и выходных импульсов в шинах слов и разрядов, которая может ограничивать быстродействие ИС. Наиболее быстродействующие полупроводниковые ЭП характеризуются временами записи и считывания, по порядку величины равными 1 не. В то же время скорость распространения сигнала в линиях связи может быть меньше 109 см / с. При этом задержка сигнала в межсоединениях становится сравнимой с инерционностью ЭП при длине соединения, равной по порядку величины 1 см. Если линейный размер ЭП на кристалле составляет 100 мкм, то вдоль линии длиной 1 см размещается всего лишь 102 ЭП. Из этих рассуждений следует, что задержка сигнала в линиях связи между элементами может стать фактором, ограничивающим информационную емкость ИС. Кроме того, реактивные и активные последовательные сопротивления и параллельные проводимости вызывают спад амплитуды фронта импульса, величина которого также зависит от числа и размеров ЭП, подключенных к шине.  [41]



Страницы:      1    2    3