Cтраница 4
Проводимость аморфного сплава превышает известные ранее пределы для легированного аморфного кремния и достигает 1 См / см или более. Перенос носителей хорошо описывается в рамках модели прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка. Предполагается, что зонная структура аморфного сплава подобна зонной структуре полуметаллов. [46]
Часть самых первых измерений l / f - шума была проведена на поликристаллических материалах [10], и с тех пор выполнено значительное число исследований этого явления в различных аморфных и поликристаллических веществах. Механизмы электрической проводимости в таких материалах включают прыжковую проводимость носителей между проводящими зернами и локальными состояниями в структуре стекла и туннелирование электронов между близлежащими соседними зернами. [47]
При температурах, меньших 280 К, реализуется механизм прыжковой проводимости по глубоким энергетическим состояниям, локализованным вблизи уровня Ферми. Концентрация дефектов, которые идентифицируются с помощью метода электронного парамагнитного резонанса, составляет не менее 1018 см-3. Температурная зависимость удельной проводимости показана на рис. 3.1. Анализ зависимости фотопроводимости от температуры ( см. рис. 3.2) свидетельствует о том, что по обе стороны от уровня Ферми существуют энергетические зоны локализованных состояний. Хиросэ и др. [6] высказали предположение, что появление этих зон вызвано главным образом наличием хвостов состояний, связанных с областями вблизи границ зерен. [48]
Несмотря на множество работ, посвященных исследованию механизма переноса носителей заряда в ароматических кристаллах, природа движения зарядов в этих веществах остается недостаточно изученной. Редко удается определить области применимости моделей зонной структуры и прыжковой проводимости. [49]
Переход металл-изолятор происходит при cr ( WK ] a Q - к 9 ( Ом-см) - , а у состояний с меньшими значениями ло низкотемпературный транспорт реализуется при помощи прыжковой проводимости. При углублении в область изолятора температурный интервал, в котором происходит прыжковая проводимость, станог вится достаточно широким. [50]
Итак, формула (2.23) отражает тот факт, что с изменением концентрации в рассматриваемых структурах происходит непрерывное изменение строения гетерогенной системы от изолированных к бесконечным кластерам. При этом учитывается вероятностный характер этого процесса, а также явление прыжковой проводимости при тм - ткр и малых значениях v ЛД / ЛМ. [51]
Если ширина щели невелика, то потери обусловлены, в основном, прыжковой проводимостью. [52]
Первый член определяет проводимость по основной разрешенной зоне, второй член определяет прыжковую проводимость. При увеличении концентрации примеси увеличивается перекрытие волновых функций примесных центров и энергия активации прыжковой проводимости Е3 уменьшается. При концентрации N4 1017 см 3 эта энергия равна нулю, что означает переход от активационной проводимости к металлической. Из рис. 92, а видна сильная зависимость прыжковой проводимости ( рд1) от концентрации примеси. [53]
Перенос по локализованным состояниям возникает в результате прыжков носителей с одного локализацион-ного центра на другой и поэтому называется прыжковой проводимостью. Важным постулатом всей концепции прыжковой проводимости является предположение, что все центры практически имеют различные энергии: два центра с одинаковой энергией находятся на бесконечном расстоянии друг от друга. [54]
Универсальные функции / 3 ( 1пу для различных размерностей. [55] |
Нетрудно видеть, что и транспортные свойства объема Ld меняются с величиной J точно так же. При большом J кондактанс велик, потому что заряд может пройти с одной грани куба на противоположную путем металлической или прыжковой проводимости или тунне-лирования. Чем меньше 7, тем меньше вероятность прыжков между центрами и туннелирования. Поэтому кондактанс можно считать той физически измеряемой величиной, которая позволяет судить о волновых функциях электронов в основном состоянии. [56]
В халькогенидных стеклообразных полупроводниках эффективное взаимодействие между локализованными электронами может иметь характер притяжения; это приводит к их спариванию, и прыжковая проводимость, как правило, не наблюдается. [57]
При достаточно высокой концентрации неглубоких центров волновые функции примесных состояний могут частично перекрываться. В этом случае за счет туннельных переходов электрон может перемещаться от одного примесного центра к другому, что при наличии внешнего Е приведет к прыжковой проводимости. [58]
Ом - см 1 для ЕЕС электронный перенос в области 1 а200Ом 1см - 1 обеспечивается, по-видимому, электронами, термически возбужденными в делокализо-ванные состояния выше порога подвижности. Имеется сравнительно мало исследований жидких полупроводников в интервале проводимостей сг1 Ом см-1, так что существует мало экспериментальных оснований для обсуждения применимости обрисованной выше теории прыжковой проводимости в жидкостях. [59]
Как было теоретически показано автором [129], примененная Шером и Монтроллом модель непрерывных случайных блужданий больше подходит для расчета параметров обобщенного переноса, контролируемого ловушками, чем для описания прыжковой проводимости. В работах [130-133] с помощью различных приближений рядом авторов независимо проведен теоретический анализ явлений многократного захвата носителей локализованными и размазанными состояниями. Эти работы показали, что модели непрерывных случайных блужданий [127] и многократного захвата носителей эквивалентны. В работе [134], в частности, удалось получить совпадающий с экспериментальными данными расчетный результат, согласно которому дисперсионный перенос зависит от трех различных типов ловушек. [60]