Темповая проводимость

Cтраница 1

Энергетические уровни примесей в полупроводнике.| Спектр примесного поглощения света мышьяком.| Возникновение э. д. с. на обкладках полупроводника при освещении светом. [1]

Темповая проводимость 0Т обусловлена равновесными носителями заряда. [2]

Фотопроводимость, как и темповая проводимость, изменяется с температурой по экспоненциальному закону. В табл. 4 даны в зависимости от ТТО значения энергии активации темновой проводимости и фотопроводимости при освещении образцов светом различных длин волн. [3]

Проводимость и энергия активации Е проводимости при комнатной температуре пленок Si. Н, легированных фосфором, в зависимости от мощности тлеющего разряда И / дц ( скорость потока 3 5 станд. см3 / мин, отношение содержаний SiH4 / H2 1 / 20.| Объемная доля кристаллической фазы Vt и размер кристаллитов 6 в пленках Si. Н легированных фосфором, сопоставленные с темновой проводимостью. [4]

На рис. 5.3.3 представлены темповая проводимость при 25 С и энергия активации проводимости пленок, осажденных при различных мощностях разряда. Легированные фосфором пленки Si: Н были получены разложением газовой смеси SiH4 - H2 - PH3 ( SiH4 / H2 1 / 20, PH3 / SiH4 0 01) в высокочастотном ( 13 56 МГц) тлеющем разряде в емкостно-спаренном реакторе. [5]

Фотоэлектрические характеристики солнечных элементов со структурой А1 / мероциани [ ] / Ац при наличии легирующих примесей. Слой алю . [6]

В то же время темповая проводимость остается неизменной. Это означает, что примеси практически не влияют на генерацию свободных носителей заряда в темноте. [7]

С понижением температуры уменьшается темповая проводимость, служащая фоном, на котором проявляется фотопроводимость, а поэтому роль последней возрастает. Кроме того, с понижением температуры увеличивается и абсолютное значение фотопроводимости, так как с уменьшением концентрации темновых носителей снижается вероятность рекомбинации. [8]

Эту проводимость часто называют темповой проводимостью. [9]

Это значит, что после прекращения облучения темповая проводимость в большинстве случаев более или менее быстро возвращается к тому значению, которое она имела до облучения; у одних полупроводников это длится микросекунды, у других этот процесс тяиется минутами и даже часами. Это обстоятельство чрезвычайно важно для целого ряда технических применений явления фотопроводимости, так как к приборам этого класса - к фотосоиротивлениям - предъявляются иногда высокие требования в отношении инерционности их действия. [10]

Здесь Zn - избыточные атомы цинка, ответственные за темповую проводимость; Zn - катионы цинка, ответственные за фотопроводимость и фотолюминесценцию. [11]

Примеси ( Zn, Hg, Sb, Se), обусловливающие умень01ение темповой проводимости и даже меняющие знак ее ( Hg - 1 вес. Обнаружение инверсии знака проводимости в таком широкозонном материале, как CdP2 ( Eg 2 134 эВ при 13 К), открывает перспективы для его практического использования. [12]

Существует большое число кристаллов с преобладающей ионной связью, в которых не только фотопроводимость, но и темповая проводимость осуществляется электронами, а иногда частично ионами и частично электронами. Многие окислы и сульфиды обладают ионными или преимущественно ионными связями. [13]

Во всем диапазоне температур необходимо сделать три отдельных измерения: проводимости в отсутствие света, силы терморезонансного тока и силы фототока. Измерения темповой проводимости являются основными, к ним приводят два других измерения. Сначала пробу охлаждают до температуры жидкого азота и измеряют темновую проводимость. По достижении 77 К пробу освещают очень ярким сфокусированным светом источника типа лампы для микроскопа. Под действием света в пробе образуются дырки и электроны и заполняются ловушки. Затем свет выключают и пробу нагревают в темноте. Как только температура пробы повышается до заданной величины, замеряют превышение тока над нормальным темновым током. Этот избыток тока обусловлен носителями заряда, освобождающимися из ловушек и приводящих к возникновению терморезонансного тока. Наконец, измеряют усиление во всем интервале температур при непрерывном освещении пробы светом известной интенсивности. Ток, превышающий темновой, и есть фототек. [14]

С понижением температуры уменьшается темповая проводимость, служащая фоном, на котором появляется фотопроводимость, а поэтому роль последней возрастает. Кроме того, с понижением температуры увеличивается и сама фотопроводимость, так как с уменьшением концентрации темновых носителей заряда снижается вероятность рекомбинации носителей. Температура влияет и на граничную длину волны ( см. рис. 8 - 7), причем у одних полупроводников она смещается при понижении температуры вправо, а у других - влево. Это объясняется тем, что с понижением температуры ширина запрещенной зоны у одних полупроводников уменьшается, а у других - увеличивается. [15]

Страницы: 1 2