Темповая проводимость

Cтраница 2

Габариты промышленных фотосопротивлений. [16]

При очень больших освещенностях полная концентрация носителей делается настолько большой, что начинает преобладать прямая рекомбинация электронов и дырок, несмотря на небольшую вероятность этого процесса. При этом проводимость, вызванная светом, много больше темповой проводимости. [17]

Измерения стационарной фотопроводимости и переходных явлений при температурах ниже комнатной и в образцах, где главную роль играют уровни железа, показывают, что дырочные образцы сравнительно слабо фоточувствительны и характеризуются малым временем восстановления. В то же время для электронных образцов характерны высокая фоточувствительность и очень медленное восстановление темповой проводимости. Высокая фоточувствителыюсть этих образцов воспроизводима и контролируема в том смысле, что ее можно менять по крайней мере на два порядка, подбирая количество и сорт железа, используемого в качестве примеси. Большие времена восстановления свидетельствуют о наличии уровней прилипания для дырок. Это подтверждается оптическими измерениями, описанными в следующей статье. Однако характер спадания фотопроводимости в электронных образцах не удается интерпретировать количественно с точки зрения простой модели захвата. Равным образом неизвестно эффективное число ловушек. [18]

Как влияет на фотопроводимость изменение температуры тела. Относительная роль фотопроводимости должна с понижением температуры, естественно, возрастать, так как с понижением температуры уменьшается темповая проводимость, служащая фоном, на котором проявляется фотопроводимость. Теория и опыт показывают, что с понижением температуры возрастает и абсолютная величина фотопроводимости. Объясняется это тем, что с уменьшением концентрации темповых носителей тока - электронов и дырок - уменьшается и вероятность рекомбинации фотоносителей тока. [19]

Приведенные результаты дают возможность однозначно связать проводимость пленок полимерных полупроводников с под-вижностями носителей заряда. Поскольку ток генерированных в приэлектродном слое дырок по порядку величины равен темповому току, то можно считать, что движение неравновесных и равновесных носителей заряда происходит в одинаковых условиях, а измеряемая подвижность является омической и непосредственно относится к темповой проводимости. [20]

Определение электрических свойств молекулярных полупроводников следует по возможности проводить на монокристал-лических образцах в условиях высокого вакуума. Была определена температурная зависимость темповой проводимости. Было показано, что процесс Проводимости определяется собственными свойствами материала только при температурах, превышающих 140 С. При более низких температурах на проводимость влияет примесный электронный уровень, расположенный па 0 32 эВ ниже края зоны проводимости. Результаты исследований р - РсН2 [361] или р - РсСи [362] согласуются с этим значением ширины запрещенной зокы. Квантовый выход фотогенерации носителей заряда зависит от температуры. Эта величина соответствует разнице энергий между дном электронной зоны и уровнем синглетного возбужденного состояния. [21]

Только в том случае, если обмен энергии с решеткой мал по сравнению с обменом энергии между электронами, находящимися в зоне проводимости и вносимыми туда светом, можно представить себе, что фотоэлектроны сохраняют свою повышенную энергию в течение всего времени своего существования в зоне свободных уровней. Нет оснований также предполагать, что между энергиями световых и темновых электронов имеется полоса запрещенных уровней, которая не дает световым электронам уменьшить свою кинетическую энергию до значений 0.03 эв. Кикоина, произведенные с целью установить различие между электронами темповой проводимости и фотоэлектронами, не дали никакого намека на их различие. [22]

В опытах Гуддена и Поля было показано, что зависимость от времени количества электричества, прошедшего через кристалл цинковой обманки ZnS при его освещении, линейна лишь при малых временах освещения. При более продолжительном освещении количество протекшего через кристалл заряда начинает расти со временем быстрее. Отсюда было сделано заключение о том, что в результате накопления каких-то изменений в кристалле, связанных с прохождением фототока, происходит общее возрастание темповой проводимости кристалла. Часть тока, связанная с этой возрастающей со временем проводимостью, была названа Гудденом и Полем вторичным фототоком. [23]

На кристаллические пластинки толщиной 0 5 - 1 мм напыляли алюминий ( 0 4 мг / см2) и затем отжигали при температуре 850 С в течение 5 мин в парах цинка. Они считали что плазма возникает при ударной ионизации электронами в узкой изолирующей области между частью кристалла, легированной алюминием, которая имела низкую темповую проводимость. Flpii запуске светом или импульсом напряжения такой прибор начинает излучать, оставаясь и далее проводящим за счет поглощения собственного излучения. [24]

Страницы: 1 2