Cтраница 4
По формуле ( 44) включение параллельно любому проводнику другого проводника ( большего или меньшего сопротивления - безразлично) приводит к уменьшению сопротивления разветвления. [46]
Обкладки и выводы конденсатора, как и любой проводник, обладают собственной индуктивностью, которая яа достаточно высокой частоте может вызвать появление резонанса с емкостью конденсатора. [47]
Обкладки и выводы конденсатора, как и любой проводник, обладают собственной индуктивностью, которая на достаточно высокой частоте может вызвать появление резонанса с емкостью конденсатора. Резонансная частота конденсатора должна быть в 2 - 3 раза выше максимальной рабочей частоты. [48]
Проводимость примесного полупроводника, как и проводимость любого проводника, определяется концентрацией носителей и их подвижностью. С изменением температуры подвижность носителей меняется по сравнительно слабому степенному закону, а концентрация носителей - по очень сильному экспоненциальному закону, поэтому зависимость проводимости примесных полупроводников от температуры определяется в основном температурной зависимостью концентрации носителей тока в нем. На рис. 323 дан примерный график зависимости In 7 от 1 / Г для примесных полупроводников. Участок АВ описывает примесную проводимость полупроводника. Рост примесной проводимости полупроводника с повышением температуры обусловлен в основном ростом концентрации примесных носителей. Участок 6С соответствует области истощения примесей ( это подтверждают и эксперименты), участок CD описывает собственную проводимость полупроводника. [49]
Проводимость примесного полупроводника, как и проводимость любого проводника, определяется концентрацией носителей и их подвижностью. С изменением температуры подвижность носителей меняется по сравнительно слабому степенному закону, а концентрация носителей - по очень сильному экспоненциальному закону, поэтому проводимость примесных полупроводников от температуры определяется в основном температурной зависимостью концентрации носителей тока в нем. [50]
При принятых допущениях приведенные зависимости справедливы для любого проводника, любой формы и из любого материала и, больше того, для любой детали, нагреваемой любым источником энергии и охлаждающейся в любой среде. [51]