V-центр

Cтраница 1

V-центров аддитивным способом, активаторная полоса остается неизменной по интенсивности, форме и положению в спектре. [1]

Существенная роль V-центров в явлениях люминесценции подтверждается также данными о влиянии некоторых газов на ультрафиолетовое и видимое свечение щелочно-галоидных кристаллов. Были исследованы кристаллы КС1, содержащие примеси кислорода, и кристаллы NaCl, прогретые в атмосфере азота либо хлора при 600 - 700 С. [2]

Световые суммы вспышки ультрафиолетовой люминесценции NaCl в зависимости от продолжительности выдержки кристалла после рентгенизации. а - выдержка при комнатной температуре, 6 - выдержка при температуре жидкого кислорода. [3]

Взаимопреврашением одних видов V-центров в другие объясняется изменяющаяся со временем способность дырочных и электронных центров рекомбинировзть с излучением света, в старых кристаллах она меньше, чем в свежерештенизованных. [4]

В статье 14 описываются свойства V-центров, которые еще не были обнаружены в галоидном серебре. Зейтц [9] полагает, что полоса поглощения К-центров совпадает с хвостом собственного поглощения галоидного серебра. [5]

В настоящее время уже известно семь различных видов V-центров, отличающихся между собой своими спектрами поглощения и термической стабильностью. Кроме того, V-центры могут отличаться между собой эффективными сечениями рекомбинации и, наконец, вероятностью рекомбинации с отдачей энергии в виде света. [6]

Приведенные данные свидетельствуют о наличии прямой связи между запасаемыми световыми суммами и образуемыми V-центрами. В отношении последних теперь известно, что различные виды ( / - центров обладают различной термической устойчивостью и преимущественно образуются при определенных температурах. Так, полосы Vi и К6 возникают преимущественно при - 180 С. [8]

С помощью двух игольчатых электродов удается перемещать образовавшиеся на разных электродах F - и V-центры по направлению друг к другу. [9]

Центр 92, 93 F - Центр 94 М - Центр 94 R-Центр 94 V-Центр 94 Цеолитная вода 384 Цеолиты 337 ел. [10]

Изохронный отжиг атомов отдачи фосфора при равномерном нагреве различных кристаллов КС1 (. 44, радиофосфор получен по реакции КС1 (, о 32Р. [11]

Повышенная дефектность катионной подрешетки в первом случае приводит к хорошим условиям локализации дырок в кристалле ( образование V-центров), что защищает атомы отдачи от окисления. [12]

С давних пор по традиции физики занимаются получением электронно-избыточных или электронно-недостаточных дефектных центров в кристаллах галогенидов щелочных металлов ( F - или V-центры), вводя ионы, которые могут действовать как источники или как ловушки электронов. При радиолизе кристалла вторичные электроны захватываются такими ловушками, в результате чего усиливается образование электронно-дефектных центров. Если примесный ион служит источником электронов, а дырки способны мигрировать по всему кристаллу, то последние могут исчезать при рекомбинации с электронами или за счет процесса переноса электрона. [13]

Ag в КС1), электрон на вакансии отрицательного иона ( - центры), дырка на вакансии положительного иона за счет недостающего электрона на смежном ионе ( V-центры) и аналогичные дефекты более сложной природы. [14]

Полоса поглощения этих центров лежит в ультрафиолете близко к границе собственного поглощения решетки, / - полоса сильно походит на / - - полосу. V-центры интерпретируются либо как диспергированные нейтральные атомы галоида, либо как положительные дырки, ассоциированные с ловушками этих положительных дырок. [15]

Страницы: 1 2 3