V-центр

Cтраница 2

В настоящее время уже известно семь различных видов V-центров, отличающихся между собой своими спектрами поглощения и термической стабильностью. Кроме того, V-центры могут отличаться между собой эффективными сечениями рекомбинации и, наконец, вероятностью рекомбинации с отдачей энергии в виде света. [16]

Такие центры называются V-центрами; они должны состоять из дырок, связанных с - катионными вакансиями. Однозначно модель F-центров не установлена. [17]

Новые полосы обнаруживаются при определенных условиях опыта как в фотохимически окрашенных, так и в кристаллах, окрашенных аддитивно в парах щелочных металлов. Следовательно, ot - и ( 3-полосы не могут быть приписаны V-центрам, которые не возникают в результате аддитивного окрашивания кристалла. [18]

Тесная связь между кривыми поглощения отчетливо демонстрируется еще тем фактом, что зависимость vmaxd2 const ( где v max - частота в максимуме полосы) с достаточно хорошим приближением соблюдается как для К-центров, так и для F-цен-тров. Эта постоянная равна 2 0 см2 / сек для F-центров и 4 7 см2 / сек для V-центров. [19]

Несмотря на то что спектры ЭПР атомов галогенов в газовой фазе уже были получены ( 37 ], попытки обнаружить захваченные атомы в неполярных матрицах кончились неудачей [10], вероятно, по той же причине, что и в случае захваченных атомов кислорода. Однако, поскольку такие дефектные центры, называемые V-центрами, состоят из захваченного атома, сильно связанного с соседним ионом галогена, их следует рассматривать скорее как молекулярные ионы ( НаГ - На1) -, о которых будет идти речь в разд. [20]

Когда кристалл окрашен мы говорим, что в нем имеются центры окраски. Центр окраски - это дефект решетки, который поглощает свет. Различают два типа центров: / - - центр и V-центр. Обычно F - центры создают1 нагреванием кристалла в избыточных парах щелочного металла или путем облучения, а V-центры - в парах галогена или также облучением. [21]

У-центры [24, 25] также могли бы образовывать внутренние центры и агрегаты, но энергия диссоциации таких агрегатов должна быть значительно меньше, чем у агрегатов F-центров соответствующего размера. Однако с помощью У-центров можно попытаться объяснить природу включений брома в кристаллы бромистого серебра, обработанные бромом. Возможно, что этот бром находится во внутренних пустотах кристалла, возникших при разрушении агрегатов V-центров. [22]

Второе условие было проверено следующим образом. Если аддитивно окрашенный кристалл обесцвечивать F-светом при низкой температуре, то образуются f - центры. В случае же фотохимически окрашенных кристаллов обесцвечивание в аналогичных условиях приводит к рекомбинации освобождаемых из F-центров электронов с V-центрами. Поэтому теперь приходится по одной вакансии на каждый исчезнувший F-центр. [23]

Если кристалл облучается рентгеновыми лучами при низких температурах, то а-полоса образуется одновременно с F - и Р - ПОЛО-сами. Образованные при низких температурах, все перечисленные полосы исчезают при нагревании кристалла до комнатной температуры, тогда как после рентгенизации при комнатной температуре получаются устойчивые F - и jl - полосы. Это явление находится в согласии с известным фактом о зависимости стабильности F-центров от температуры, при которой они создаются путем фотохимического окрашивания, и обусловлено неодинаковой термической стабильностью различных типов V-центров, при аннигиляции которых одновременно исчезают также частично и / - - центры. [24]

Спектр флуоресценции фосфора КВг - In. [25]

Из рассмотренных результатов измерений следует, что после облучения фосфора рентгеновыми лучами уменьшается концентрация ионных центров активатора. Как и в рассмотренных выше случаях, это явление обусловлено захватом электронов ионными центрами активатора и образованием атомарных центров, имеющих характерные полосы поглощения. В случае КВг - In новая полоса дополнительного поглощения имеет максимум при 325 ти - ( рис. 92 кривая - д); но она проявляется лишь после обесцвечивания F-полосы. При этом, как видно из рисунка, одновременно падает также поглощение в V-полосе вследствие рекомбинации V-центров с электронами, освобожденными при оптической диссоциации F-центров. [26]

Во многих случаях энергия, сообщенная электрону, достаточна для того, чтобы он был в состоянии достигнуть зоны проводимости. Если электрон происходит из валентной зоны или из примесного уровня, то одновременно образуются дырка или акцепторный уровень. Эта энергия может быть также использована либо для инициирования химических реакций в самом твердом теле, либо, как будет показано ниже, для воздействия на некоторые каталитические процессы, происходящие на поверхности твердого тела. Свободные носители тока захватываются на некоторое время также дефектами решетки с образованием, например, F - и V-центров. [28]

Последняя возникает также при комнатной температуре, но она значительно менее интенсивна. Полосы Уг, 1 / 3 и V 4 образуются преимущественно в интервале - Ш () С-50 С. Из перечисленных полос V3 наиболее стабильна a Vt наименее стабильна. При нагревании до 20 С полоса К4 полностью исчезает, хотя в процессе нагревания несколько возрастает, по-видимому за счет V-центров, исчезающих при более низких температурах. Полоса У2 также легче возникает при низкой температуре, хотя и существует пр i комнатной. В общем, чем ниже температура, при которой образуется тот или иной вид V-центров, тем меньше их термическая устойчивость. Этим и объясняется зависимость запасаемых световых сумм от температуры кристалла, при которой производится рентгенизация. [30]

Страницы: 1 2 3