Зародыш - кристалл
Cтраница 2
Зародыши кристаллов готовят обычно или упариванием, или охлаждением небольшого количества насыщенного раствора данного вещества. По истечении определенного времени на тех местах стенок кристаллизатора, где существуют наиболее благоприятные условия, может произойти самопроизвольное образование центров кристаллизации, прежде чем появится сплошной ливень кристаллитов, о котором говорилось выше. Микроскопические частицы порошка служат центрами, на которых происходит кристаллизация. [16]
 |
Схема цементации меди желе - ПЛОЩЗДЬ КЭТОДОВ уввЛИЧИТ. [17] |
Зародыши кристаллов растут, разряжая на себя новые ионы и возникает система гальванических элементов, общим анодом которых служит железо, а катодами - кристаллы меди. Если по какой-либо причине, например в результате окисления или иного загрязнения поверхности, рост кристаллов прекратится, ионы меди найдут новые центры для адсорбции, способные образовать свежие зародыши. [18]
Зародышами кристаллов могут быть также и отдельные нерас-плавившиеся включения данного полимера или вообще посторонние включения. [19]
Зародышами кристаллов могут быть также и отдельные нерасплавившиеся включения данного полимера или вообще посторонние включения. [20]
Однако зародыши кристаллов могут возникнуть и из молекул данной жидкости в результате случайного соединения их в более или менее прочные группы, с определенным расположением друг относительно друга, зависящим от характера их силовых полей. Внутри таких зародышей кристаллов молекулы совершают только колебательное движение, не отрываясь друг от друга. [21]
Рост зародыша кристалла включает две стадии - диффузию ионов к поверхности растущего кристалла и осаждение этих ионов на - этой поверхности. [22]
Склонность зародышей кристаллов LiSt расти в том или ином направлении обусловлена, вероятно, образованием адсорбционных и диффузных слоев молекул LiOH на плоскостях полярных групп мыла в зависимости от концентрации щелочи в мыльно-масляной системе. [23]
Образование зародыша кристалла парафина энергетически выгодно на стенке, так как требует наименьшей затраты энергии по сравнению с затратами на образование подобного зародыша в объеме жидкости. [24]
Первичное образование зародышей кристаллов зависит от характера вещества и внешних условий. [25]
 |
Зависимость скорости образования зародышей ( - - - - -, вязкости ( - - - - - - - - - - - и скорости кристаллизации ( - - - - - - - - от температуры. [26] |
Часто образование зародышей кристаллов и кристаллизацию задерживают гомогенные примеси. К замедлению кристаллизации может, в частности, привести смазка для шлифов, увлеченная с веществом или раствором, поэтому смазку на шлифы следует наносить очень тонким слоем, а в некоторых случаях шлифы вообще лучше не смазывать. [27]
Первичное образование зародышей кристаллов зависит от характера вещества и внешних условий. К этим условиям в растворах, содержащих кристаллизующиеся углеводороды, относятся растворимость при данной температуре и степень насыщенности раствора. [28]
Первичное образование зародышей кристаллов зависит от характера вещества и внешних условий. [29]
Часто образование зародышей кристаллов и кристаллизацию задерживают гомогенные примеси, К замедлению кристаллизации может, в частности, привести смазка для шлифов, увлеченная с веществом или раствором, поэтому смазку на шлифы следует наносить очень тонким слоем, а в некоторых случаях шлифы лучше вообще ие смазывать. [30]
Страницы: 1 2 3 4