Cтраница 4
![]() |
Зависимость скорости кристаллизации Jdmlt от времени процесса.. [46] |
С увеличением пересыщения образование зародышей кристаллов ускоряется быстрее, чем происходит рост кристаллов. В результате получаются мелкие кристаллы. Для получения крупнокристаллического продукта следует медленно снижать пересыщение раствора. [47]
![]() |
Схема установки для определения устойчивости пересыщенных растворов в присутствии затравочного кристалла. [48] |
Величина индукционного периода образования зародышей кристаллов возрастает при увеличении содержания ПАВ как в присутствии, так и в отсутствии затравочного кристалла. [49]
Величина индукционного периода образования зародышей кристаллов возрастает при увеличении содержания ПАВ как при наличии, так и в отсутствие затравочного кристалла. [50]
![]() |
Зависимость скорости кристаллизации J-dmd от времени t процесса.. [51] |
С увеличением пересыщения образование зародышей кристаллов ускоряется быстрее, чем происходит рост кристаллов. В результате получаются мелкие кристаллы. Для получения крупнокристаллического продукта следует медленно снижать пересыщение раствора. [52]
Очевидно, скорость образования зародышей кристаллов пропорциональна вероятности образования трехмерного зародыша, умноженной на вероятность того, что этот зародыш растет. [53]
Если же скорость появления зародышей кристаллов меньше скорости их роста, то образуются кристаллы больших размеров, но в меньшем количестве. [54]
На такой грубой поверхности раздела зародыши кристаллов могут использовать большую часть поверхности. [55]
Сначала на поверхности сплава появляются зародыши кристаллов Сг2О3; с течением времени они разрастаются и в конце концов образуют сплошную, но неровную поверхностную пленку. Именно такова типичная картина избирательного окисления. [56]
Появившиеся в результате магнитной обработки зародыши кристаллов неустойчивы и в отсутствии условий для роста постепенно растворяются. [57]
Третьим участником реакции может быть зародыш кристалла постороннего вещества или стенка сосуда. [58]