Поверхностный зародыш

Cтраница 1

Поверхностные зародыши, содержащие от одного до десяти атомов. Тогда предположение о том, что поверхностная энергия столь малого зародыша определяется так же, как и для ( макроскопической) жидкой капли, становится менее пригодным. Для критических зародышей, состоящих из двух, трех или четырех атомов, возможное число конфигураций атомов на подложке ограничено. [1]

Поверхностные зародыши большего радиуса г г3 разрастаются в плоскость решетки, а с меньшим радиусом г: г3 исчезают. [2]

Для энергетического состояния одного поверхностного зародыша существенна граничная энергия ступеней. Атомы в ступенях связаны значительно слабее поверхностных атомов в поверхности. [3]

Схематическое изображение процесса кристаллизации по теории Косселя и Странского. Различные положения атомов. [4]

Кц Кг, К - поверхностные зародыши; 1 - 4 -пути кристаллизации. [5]

Положительный знак применяется в случае поверхностного зародыша, отрицательный - пустотного зародыша. Отношение р / роо характеризует перенасыщение или недонасыщение. [6]

Свободная энергия Гиббса АС для образования критического поверхностного зародыша выражается уравнением ( см. [ 78, стр. [7]

По Брандесу 195, парциальное давление р над поверхностными зародышами превышает давление насыщенных паров рт над бесконечно большим кристаллом. С другой стороны, давление паров р, при котором полостный зародыш находится в равновесии с газовой фазой, меньше, чем рто - Здесь встречаются такие же соотношения, как и в случае давления паров над маленькими каплями или в маленьких пузырьках Пара, которые описываются уравнением Томсона. [8]

Гкр - температура кристаллизации; ДГ ГпЛ - Ткр; Д / / 1ГЛ - энтальпия плавления; йо - высота поверхностного зародыша; k - константа Больцмана. [9]

Зависимость Igk от температуры Г при кристаллизации из расплава ( а и из высокоэластического состояния ( б при различном содержании аэросила [ % ( масс. ].| Зависимость ( АС ДЕ от содержания аэросила С при кристаллизации из расплава ( 1 и из высокоэластического состояния ( 2. [10]

Гпл - равновесная температура плавления; Гкр - температура кристаллизации; ДГТПЛ - Ткр; ДЯПЛ - энтальпия плавления; Ьд - высота поверхностного зародыша. [11]

Если скорость продвижения кристаллического монослоя вдоль боковой поверхности ламели g превышает STL, то боковой размер ламели увеличится на Ь0 до того, как возникнет новый поверхностный зародыш. [12]

Вначале необходимо сделать упрощающее предположение, что в момент времени t 0 имеется совершенно плоская поверхность без ступеней и полукристаллических положений. На этой поверхности один за другим образуются поверхностные зародыши ( пустотные зародыши) критической величины, которые затем разрастаются в радиальном направлении, так что через определенное время образуется ( катодно) или растворяется ( анодно) целый моноатомный слой. Для простоты нужно принять, что радиальная скорость и, с которой увеличивается поверхностный зародыш ( пустотный зародыш) не зависит от радиуса зародыша и направления. [13]

Плоскость решетки, свободная от дефектов, разрушается или воспроизводится целиком, причем в конце этого процесса места роста исчезают. После этого должен образоваться новый двухмерный зародыш ( поверхностный зародыш), на котором снова происходит разрушение или создание следующей плоскости решетки через места роста. [14]

Спираль роста по уравнению ( 2. 419 г 2г0ф ( спираль Архимеда при осаждении ( центр приподнят или растворении ( центр углублен металла на одной винтовой дислокации. [15]

Страницы: 1 2