Cтраница 2
Поэтому расстояние между витками спирали должно зависеть от величины поверхностного зародыша, а значит, и от перенапряжения. [16]
Вначале необходимо сделать упрощающее предположение, что в момент времени t 0 имеется совершенно плоская поверхность без ступеней и полукристаллических положений. На этой поверхности один за другим образуются поверхностные зародыши ( пустотные зародыши) критической величины, которые затем разрастаются в радиальном направлении, так что через определенное время образуется ( катодно) или растворяется ( анодно) целый моноатомный слой. Для простоты нужно принять, что радиальная скорость и, с которой увеличивается поверхностный зародыш ( пустотный зародыш) не зависит от радиуса зародыша и направления. [17]
Первоначальное зародыше-образование происходит намного медленнее этих двух процессов, но, достигая критических размеров, отдельный первичный зародыш обычно вызывает кристаллизацию значительного объема расплава. Хотя нет доказательств, касающихся поведения отдельных молекул, считается общепринятым, что такой зародыш служит тем субстратом, на котором легко могут конденсироваться и постепенно наращиваться молекулы, приводя к росту кристалла за счет повторяющегося добавления мономолекулярных слоев на растущих гранях. Опубликованные кинетические данные согласуются с представлением о том, что эти последовательные слои инициируются двумерными поверхностными зародышами и растут до полного завершения посредством конденсации вдоль ступени роста молекул, которые упаковываются в кристаллическую решетку. [18]
Рост кристаллов облегчается присутствием свободных мест ( дырок) на ступенях, возникающих на поверхностях с низким индексом. Когда такие ступени и центры являются результатом винтовой дислокации, то они будут все время повторяться. Напротив, ступени будут временными на поверхностях с высоким индексом раздробленных кристаллов, так как процесс осаждения и сглаживающий рост оставляют только поверхности с низким индексом. В случае совершенного кристалла, ограниченного совершенными поверхностями с низким индексом, рост может происходить только на ступенях, образованных при помощи зародыша поверхности Фоль-мера 2, и каждая новая плоскость решетки потребует по крайней мере появления одного поверхностного зародыша. Пересыщение, необходимое для образования поверхностных зародышей, часто ( в сравнительной шкале времени) больше, чем нужно для отложения соли на ступеньках. Обычно эта раз -, ница максимальна при кристаллизации из пара, меньше - из раствора, и минимальна - из расплава. Таким образом, при благоприятных условиях образование зародыша Фольмера может быть более важным, чем рост с винтовыми дислокациями, например, при кристаллизации из расплава в условиях высокого переохлаждения. [19]