Растущий зародыш

Cтраница 4

Отношение G / Л уменьшается с понижением температуры; в соответствии с этим изменяется и морфология перлита. Вблизи Аг отношение GIN велико, с. Возникающие на границах аусте-нитных зерен зародыши перлита поглощают ряд таких зерен до того, как сталкиваются с другим растущим зародышем. Наоборот, вблизи максимума скорости превращения отношение G / N заметно уменьшается, на границах аустенитных зерен образуется много зародышей, которые растут по направлению к центру, обычно в пределах одного аустенитного зерна. [46]

Это уравнение справедливо для изолированного зародыша или для настолько разреженной системы зародышей, что их можно считать изолированными. В реальных системах имеет место диффузионное взаимодействие между зародышами через поле концентрации пара, в результате чего изменяется скорость их роста, причем могут возникать даже такие качественно новые ситуации, как рост одних зародышей за счет других. В связи с этим необходимо отметить, что в существующих теориях нуклеации не учитывается возмущение концентрации окружающего пара растущими зародышами, поэтому на их основе невозможно построить многочастичную теорию, описывающую взаимодействие между зародышами. [47]

II были рассмотрены два возможных шути превращения в зависимости от соотношения скоростей роста обеих фаз. В пределе такая схема распада на фазы пред ставляет собой постепенное обеднение исходного неравновесного раствора растворителем ( отделение пер вой фазы) и достижение в конце концов раствором равновесной концентрации, отвечающей составу второй фазы. При этом неравновесный исходный раствор, превращающийся в равновесную вторую фазу, остается пространственно непрерывным, а быстро возникающие и растущие зародыши первой фазы оказываются как бы диспергированными в непрерывном остове. [48]

Двухстэдийпый процесс нагреплпип образца при нроизводгтие стеклокерлыических матери плов. [49]

После этапа зародышеобразования, который обычно проводят при температурах, близких к температуре стеклования, когда вязкость расплава высока ( Юп-10 2 П), а скорость роста кристаллов мала, стекло нагревают до более высоких температур. Здесь начинается рост кристаллов иа поверхности образовавшихся зародышей. Вследствие того что концентрация зародышей велика и они равномерно распределены в объеме стекла, каждый из них вырастает очень незначительно, после чего он сталкивается с соседним растущим зародышем. [50]

Общий метод эксперимента состоит в том, что относительное пересыщение меняется путем изменения плотности атомного пучка, пока не начнется зародышеобразование на подложке. Хирс и Паунд пришли к выводу, что имеющиеся количественные экспериментальные данные находятся в согласии с их теорией. Они считают также, что подавляющее число данных свидетельствует в пользу подвижности атомов, адсорбированных на подложке, причем атомы могут либо вновь испаряться, либо мигрировать к растущему зародышу. [51]

Обычно реакционная способность твердых тел связывается с их структурой и энергетическим состоянием частиц кристаллической решетки. Зависимость скорости реакции твердого тела от предыстории образца, старения, небольших количеств примесей, наличие ф гур разложения, автокаталитический характер процессов, как правило, связывают с различными дефектами кристалла и образованием зародышей. Реакция начинается на дефектных местах кристалла и протекает либо с образованием и ростом зародышей новой твердой фазы, либо, при отсутствии последней с увеличением числа дефектов вокруг центров зарождения. Растущие зародыши рассматриваются как расширяющаяся реакционная зона. [52]

Этот механизм играет не очень значительную роль, так как эпитаксиально выращенные пленки часто имеют плотность дислокации на несколько порядков выше, чем на поверхности подложки. Как указывал Пэшли [24], развитие дислокаций подложки может иметь место, если эпитаксиальная пленка является псевдоморфной с подложкой. Это означает, что растущий зародыш не реагирует на наличие дислокаций на поверхности подложки. Поскольку о псевдоморфном росте металлических пленок было сообщено совсем недавно, то для подтверждения достоверности влияния дефектов подложки необходимы дополнительные подробные исследования. [53]

До настоящего времени механизм и кинетика роста зародышей оксида на поверхности металла относительно мало изучены. Первоначальными причинами образования зародышей считаются дислокации, примеси и другие поверхностные дефекты. Часто такое расположение зародышей оксида объясняется адсорбцией кислорода на поверхности как фактора, лимитирующего скорость окисления. Адсорбированный кислород, диффундируя на поверхность к растущим зародышам оксида, снижает одновременно концентрацию кислорода в зоне вокруг каждого зародыша и тем самым препятствует возникновению новых. Размеры таких зон и плотность распределения зародышей зависят от запаса адсорбированного кислорода и скорости поверхностной миграции. [54]

Страницы: 1 2 3 4