Cтраница 3
К первой ступени относятся явления, происходящие на атомно-молекулярном уровне и связанные с образованием кристаллической фазы - это гомогенное и гетерогенное зародыше-образование. Вторая ступень определяет кинетические закономерности роста отдельных граней кристаллов. Явления переноса количества движения, массы и энергии при взаимодействии дисперсных частиц с кристаллизуемой системой характеризуют третью ступень. Четвертая ступень связана с моделированием процесса массовой кристаллизации. Замыкает структурную схему пятая ступень, на которой рассматривается гидродинамика непосредственно дисперсных систем и вопросы разработки конструкций кристаллизаторов и создания методики их расчета. [31]
Хотя это значение и можно рассматривать как правдоподобное, модель, в которой полный объем частиц является фактором, контролирующим зародыше-образование, не согласуется полностью с экспериментальными данными. А из них следует, что мелкие частицы подавляют заро-дышеобразование более эффективно, чем более грубые частицы того же суммарного объема. Более того, она несостоятельна и физически, поскольку истинное равновесие с полимером не допускает степени пересыщения фазы разбавителя олигомером, необходимой для образования новых зародышей частиц путем агрегации. [32]
В реальных условиях большинство металлов затвердевает при значительно меньшем переохлаждении, чем максимальное переохлаждение AT - 0 2Ге, следующее из теории гомогенного зародыше-образования Это связано с наличием в расплаве инородных твердых частиц или присутствием стенок формы, что облегчает процесс зародышеобразования. Если поверхность кластера ( кристаллопо-добной частицы), имеющего форму сферического сегмента ( рис. 1.59), образовалась на плоской подложке, то этот кластер может расти и достичь критического размера. [33]
Выведем формулы, описывающие процесс зародышеобразования на основе различных закономерностей появления первичных зародышей, относящихся либо к активации потенциальных центров, либо к зародыше-образованию в каждой точке, которое происходит с одинаковой вероятностью. [34]
Процессы, обусловленные зародышеобразованием по степенному закону, даже приблизительно не могут быть описаны теми точными уравнениями, которые были выведены для мгновенного зародышеобразования и зародыше-образования с постоянной скоростью. [35]
По-видимому, эксперименты, связанные с добавлением продукта реакции или постороннего вещества, могут быть весьма полезны при выяснении кинетических ограничений, возникающих в результате процессов зародыше-образования. Как следует из разд. [36]
В других случаях затравки, в том числе и затравки в виде более щелочных гелей ( аморфные затравки) [82, 83], вводимые в гели с заторможенным процессом зародыше-образования ( малощелочные гели), могут стимулировать нуклеацию в таких гелях. Это может быть объяснено развитием массопереноса в геле вследствие начинающегося роста кристаллов затравки или зародышей кристаллов, внесенных вместе с аморфной затравкой. [37]
Формирование новой фазы всегда связано с возникновением устойчиво растущих зародышей. Согласно классической концепции зародыше-образовании, на начальном этапе роста, когда зародыш не достиг еще определенного критического размера, его рост невыгоден для системы. [38]
Изучение изменения среднечисленных L, и срелнезесолых L i размеров проводилось для случая кинетического ( рис. За и Зс) и диффузионного режима ( рис. сб: за, когдп показатель степени в уравнении 7 равен - I. Кривые для четырех вариантов зародыше-образовании обозначены НЕ рис. 3 сплошной, пунктирной, лтрих-пунктирной и штрихпунктирноя с двумя точками линиями, соответственно. [39]
Согласно литературным данным [3, 25], образование зародышей должно происходить путем постепенного присоединения ассоциатов и отдельных молекул к растущему комплексу. В принципе, возможно как гомогенное, так и гетерогенное зародыше-образование. Однако для осуществления первого из них необходимо соблюдение ряда мер, направленных на растворение мельчайших кристаллических частиц и удаление нерастворимых примесей. [40]
Этим методом были изучены более высокие скорости кристаллизации, чем те, которые удавалось наблюдать с помощью, микроскопии и дилатометрии. Он нашел, что ниже 80 С преобладает процесс вторичной кристаллизации и до 115 С процесс зародыше-образования является гомогенным, а выше 115 С - становится гетерогенным. Кинетические постоянные, рассчитанные по его данным, хорошо согласуются с результатами, полученными другими методами. [41]
Этим методом были изучены более высокие скорости кристаллизации, чем те, которые удавалось наблюдать, с помощью микроскопии и дилатометрии. Он нашел, что ниже 80 С преобладает процесс вторичной кристаллизации и до 115 С процесс зародыше-образовании является гомогенным, а выше 115 С - становится гетерогенным. Кинетические постоянные, рассчитанные по его данным, хорошо согласуются с результатами, полученными другими методами. [42]
![]() |
Зависимость скорости зародышеобразования ( а и скорости роста криетал-лов ( б от высокоэластической деформации расплава. Числа на кривых - температура, К. [43] |
Типичные примеры результатов расчета влияния ориентации на кристаллизацию расплава полиэтилена низкой плотности представлены на рис. VI. Видно, что уже при сравнительно малых величинах ориентации, соответствующих А 1, 2, скорость зародыше-образования увеличивается в 100 раз ( рис. VI. Затруднению роста кристаллитов способствует и уменьшение подвижности ориентированных макромолекул, поскольку температура максимальной скорости за-родышеобразования всегда ниже температуры максимальной скорости роста кристаллитов. [44]
Кривые, изображенные пунктиром на рис. 11.10 и 11.11, соответствуют именно этим соотношениям. Можно заметить, что по характеру эти кривые отличаются от тех, которые относятся к реакциям, инициируемым зародыше-образованием в произвольно распределенных точках. [45]