Cтраница 2
Дислокации при выходе на свободную поверхность монокристалла, как указано выше, образуют ступеньку. Если дислокация подходит к границе двух блоков или зерен, то ступенька не может образоваться и дислокация не может выйти на поверхность и покинуть решетку, она застревает вблизи поверхности. Следующие дислокации, порождаемые источниками Франка-Рида, подходят к застрявшей дислокации, образуя - скопление вблизи границы блока. Скопление дислокаций затрудняет зарождение новых дислокаций; действие источника Франка - - Рида прекращается. Для продолжения деформации необходимо, чтобы в действие вступили другие, менее благоприятно ориентированные системы скольжения в данном блоке или в соседнем; для этого нужно повысить внешнее усилие. При пластической деформации кристалла увеличивается число блоков. В результате раздробления блоков протяженность их границ увеличивается и тем самым возникает больше мест скопления дислокаций. [16]
Другая теория упрочнения полями близкодействующих напряжений, предложенная Кульман - Вильсдорф, базируется на образовании дислокационных сплетений. По этой теории на стадии легкого скольжения происходит. К началу II стадии дислокации имеются уже во всех ранее свободных областях кристалла. Они образуют сплетения, внутри которых плотность дислокаций выше, чем в промежутках между ними. На стадии множественного скольжения плотность дислокаций продолжает расти, при этом расстояние между скоплениями уменьшается по мере деформации. Прогрессирующее упрочнение объясняется здесь уменьшением длины источников Франка - Рида: с повышением плотности дислокаций расстояние между ними уменьшается и, следовательно, становятся короче отрезки дислокаций, которые могут изгибаться, генерируя новые петли. Напряжение, необходимое для начала работы источника, обратно пропорционально его длине. Таким образом, для продолжения деформации требуется непрерывное повышение внешнего напряжения, особенно на II стадии. [17]