Заряд - неосновной носитель
Cтраница 2
Таким образом, нами получена зависимость заряда неосновных носителей в базе от времени. [16]
Уравнение непрерывности позволяет определить распределение плотности заряда неосновных носителей в базе 7 (, t) для любого момента времени, если известно начальное распределение заряда в базе 7 (, / нач) и заданы граничные условия. [17]
На стадии рассасывания происходит уменьшение плотности заряда неосновных носителей, накопленных в базе, в частности, уменьшение плотности заряда у эмиттерного и коллекторного переходов. [18]
Принцип действия ПЗС основан на хранении заряда неосновных носителей в потенциальных ямах, образующихся у поверхности полупроводника под действием внешнего электрического поля, и на перемещении этого заряда вдоль поверхности при сдвиге потенциальных ям. Для ПЗС характерны два режима работы: хранение и передача информационного заряда. [19]
Принцип действия ПЗС основан на хранении заряда неосновных носителей заряда в потенциальных ямах, образуемых у поверхности полупроводника под действием внешнего поля, и на перемещении этого заряда вдоль поверхности при сдвиге потенциальных ям. [20]
Уравнение заряда, выявляющее связь между зарядом неосновных носителей и токами в электродах транзистора, может быть записано в виде, пригодном для разных режимов транзистора. [21]
Время восстановления обратного сопротивления зависит от величин зарядов неосновных носителей, накопленных в областях транзистора ( в базе и коллекторе) при протекании прямого тока, а также от постоянных времени, характеризующих рассасывание этих носителей. Кроме того, на него влияет барьерная емкость. [22]
Такое название отражает то, что изменение заряда неосновных носителей происходит в результате диффузии. Например, диффузия носителей от границ перехода увеличивает полные заряды дырок Qp в л-области и электронов Qn в р-области. В этом случае диффузионная емкость определяется зарядом неосновных носителей QP, накопленных в базе. [23]
Границы областей можно определить также по величине заряда неосновных носителей, которые накапливаются в базе непосредственно у коллекторного и эмитгерного переходов. [24]
Диффузионная емкость коллектора определяется как отношение приращения заряда неосновных носителей в базе к вызвавшему его приращению напряжения на коллекторе при постоянном токе эмиттера. [25]
Принцип действия этих приборов основан на хранении заряда неосновных носителей в потенциальных ямах, создаваемых у поверхности полупроводника, и движении этого заряда вдоль поверхности полупроводника при движении потенциальных ям. [26]
Другами словами, предполагается, что плотность заряда инъектируемых неосновных носителей является малой по сравнению с плотностью ионизированных атомов примеси, присутствующих в базе. [27]
Это обусловлено тем, что время выключения является функцией заряда неосновных носителей, накопленных в базах прибора. Поэтому если анодный ток перед выключением медленно убывает от номинального значения, то к моменту времени, когда он станет равным нулю, заряд неосновных носителей в базах прибора будет значительно меньше, чем при скачкообразном изменении прямого тока. В результате время выключения также уменьшится. [28]
Скорость переключения рассматриваемых ключей определяется процессами накопления и рассасывания заряда неосновных носителей в базе транзистора, перезарядом барьерных емкостей транзисторов и нагрузочных емкостей. [29]
 |
Диаграммы импульсов, поясняющие работу диодного ключа. [30] |
Страницы: 1 2 3 4