Заряд - неосновной носитель
Cтраница 4
Емкость коллектора С оказывает малое влияние на параметры выходного импульса в сравнении с влиянием на них процессов накопления и рассасывания заряда неосновных носителей в базе. Это типично для низкочастотных бездрейфо вых транзисторов. [46]
 |
Структура и временная диаграмма работы регистра на ПЗС. [47] |
Если же период изменения напряжения на истоке будет значительно меньше, чем время наступления терморавновесия, то наличие или отсутствие заряда неосновных носителей, введенных в потенциальную яму каким-либо образом, может служить признаком для хранения информации. [48]
При выводе уравнения выходной ВАХ распределение зарядов в МДП-структуре представлялось в виде зарядовых слоев из заряда поверхностных состояний Qn0B, заряда индуцированных неосновных носителей и пространственного заряда ионов примеси Qons. Реально изменение концентраций зарядов плавное, и резко обозначенных границ между областями зарядов не существует. Поэтому выражение (4.24) достаточно точно описывает выходную ВАХ МДП-транзистора ( погрешность не более 25 %) во всем рабочем диапазоне изменения напряжения стока Uc, если заряд ионов примеси Qona существенно не сказывается на работе транзистора. [49]
Тэн - постоянная времени накопления носителей у эмиттерного перехода; § эСэо / / эт - коэффициент пропорциональности; Qao - заряд неосновных носителей у эмигтерного перехода в равновесном состоянии. [50]
В качестве граничных условий используются либо значения токов, если закон их изменения определяется параметрами внешних цепей, либо значения плотности заряда неосновных носителей в базе, накопленных непосредственно у эмиттерного и коллекторного переходов. [51]
Первое слагаемое тока базы определяет составляющую тока, связанную с изменением заряда Q6, второе слагаемое соответствует току, характеризующему скорость рекомбинации заряда неосновных носителей в базе, третье слагаемое соответствует емкостной составляющей тока, связанной с перезарядом барьерной емкости перехода коллектор - база. [52]
Инерционность транзистора при его включении согласно упрощенной диффузионной модели ( см. § 2 - 1) проявляется главным образом в том, что заряд неосновных носителей в базе Q6 увеличивается не мгновенно, а с определенной скоростью, зависящей от параметров транзистора и значения тока базы. [53]
 |
ПЗС со световым вводом информации. а - освещение сверху. б - снизу. [54] |
За время, существенно более короткое, чем Т, глубина потенциальной ямы будет изменяться только приложенным смещением или введением ( оттоком) заряда неосновных носителей. [55]
Было рассмотрено четыре режима работы транзистора: нормальный, насыщенный, отсечки и обратного включения и установлено, что в каждом случае распределение заряда неосновных носителей имеет существенную связь с различными режимами работы. [56]
Следует заметить, что на процесс изменения избыточного заряда 3изб неосновных носителей в базе при работе транзистора в области насыщения может оказывать влияние накопление заряда неосновных носителей в коллекторе. Степень влияния этого эффекта на изменение заряда физб зависит от удельного сопротивления материала коллектора. У бездрейфовых транзисторов обычно материал коллектора имеет малое удельное сопротивление, при этом время жизни неосновных носителей в коллекторе много меньше, чем в базе, и влияние заряда, накопленного в коллекторе, на изменение заряда QH36 мало. [57]
Страницы: 1 2 3 4