Отрицательный объемный заряд
Cтраница 1
 |
Стилизованная временная схема развития искрового канала с отрицательного стержня на плоскость ( ступенчатый лидер. [1] |
Отрицательный объемный заряд вокруг канала лидера составляется избыточным зарядом неразогретых концов стримеров. Его нейтрализация после перекрытия лидером всего промежутка происходит а результате развития положительных стримеров с канала лидера. [2]
Отрицательный объемный заряд, связанный с быстро продиф-фундировавшими электронами, и положительный объемный заряд, появившийся в области отставших дырок, создают внутреннее поле, направленное, очевидно, так, чтобы задержать быстро диффундирующие электроны и ускорить более медленные дырки. С того момента, как это внутреннее поле установится, электроны и дырки будут диффундировать и дрейфовать согласованно, но со скоростью, промежуточной между собственной скоростью электронов и собственной скоростью дырок. [3]
 |
Структура п - р-п - п транзистора ( а и распределение в ней плотности объемного заряда ( б и поля ( в. [4] |
Отрицательный объемный заряд ОПЗ в р-базе увеличивается: р - - q ( NA nK), а положительный объемный заряд ОПЗ в - коллекторе уменьшается: pl g ( ND - / гк), как показано на рис. 2.12 6 штриховыми линиями. [5]
Этот отрицательный объемный заряд создает у катода электрическое поле, противоположное полю положительно заряженного анода, что и приводит к ограничению тока при данном напряжении между анодом и катодом. Кенотроны легко выполнить на высокое напряжение, так как в них создан высокий вакуум. Существенным недостатком является значительное падение напряжения в них, связанное с появлением отмеченного выше отрицательного объемного заряда. Ионные приборы в этом отношении выгодно отличаются от кенотронов - падение напряжения в них невелико, так как положительный заряд ионов в значительной мере компенсирует отрицательный заряд электронов. [6]
Отсутствие отрицательного объемного заряда около холодного катода приводит к тому, что приходящие ионь образуют возле него положительный пространственный заряд большой плотности. Потенциал точек электрического поля в этом месте настолько повышается, что между катодом и объемным зарядом возникает значительная разность потенциалов ( катодное падение потенциала), под действием которой ионы в состоянии выбивать электроны из катода. [7]
 |
Зависимость сигнала электроноза-хватного детектора в оптимальном режиме от расстояния между электродами для трех газов-носителей. [8] |
Протяженность зоны отрицательного объемного заряда зависит не только от расстояния между электродами, но и от знака напряженности электрического поля. [9]
 |
Распределение электрического потенциала по толщине полупро. [10] |
В результате возникновения отрицательного объемного заряда в полупроводнике имеет место повышенная концентрация электронов в области контакта. Следовательно, в этой области полупроводника минимальное значение энергии, которой может обладать электрон, находящийся в зоне проводимости, должно быть ниже, чем во всем остальном объеме полупроводника. Значит, вблизи поверхности энергетические зоны искривляются вниз. [11]
Компенсация положительными ионами отрицательного объемного заряда у катода позволяет применять в газотронах ( и других газоразрядных приборах) так называемые теплоизолированные катоды ( рис. 13.3), которые при том же токе эмиссии потребляют еще меньшую мощность, чем обычные оксидные катоды. [12]
Компенсация положительными ионами отрицательного объемного заряда у катода позволяет применять в газотронах ( и других газоразрядных приборах) так называемые теплоизолированные катоды ( рис. 13.3), которые при том же токе эмиссии потребляют еще меньшую мощность, чем обычные оксидные катоды. [13]
 |
Распределение напряжения, напряженности электрического поля и объемных зарядов в электрической дуге. [14] |
В области дугового столба положительные и отрицательные объемные заряды уравновешивают друг друга и результирующий заряд равен нулю. [15]
Страницы: 1 2 3 4