Отрицательный объемный заряд
Cтраница 4
Эти чисто электронные процессы, которые приводят к образованию продуктов реакции с отрицательным объемным зарядом, сопровождаются ионными процессами, если температура достаточно высока. Ионные процессы превращают область отрицательного объемного заряда в область положительного заряда. [46]
В результате такой фокусировки электронов в пространстве между экранирующей сеткой и анодом образуется отрицательный объемный заряд. Поле, создаваемое этим зарядом, тормозит движение вторичных электронов и возвращает их обратно на анод. [47]
При повышении накала катода число электронов, вышедших из катода, увеличивается, отрицательный объемный заряд возрастает и результирующее поле около катода становится тормозящим. Преодолеть это поле могут только электроны, обладающие достаточной начальной скоростью. [48]
 |
Температурная зависимость подвижности Va-центров в бромистом и йодистом калии при фиксированной концентрации избыточного брома или иода ( Моллво. [49] |
В электрическом поле дырки движутся к катоду и вблизи границы окрашенной области создают отрицательный объемный заряд. [50]
 |
Диаграмма энергетических уровней р-п-пе-рехода. [51] |
По мере диффузии электронов в р-область в этой области поблизости от р-гс-перехода образуется отрицательный объемный заряд. Аналогичный положительный объемный заряд образуется в га-области. Образование объемных зарядов приводит к возникновению в области p - n - перехода так называемого потенциального барьера, препятствующего дальнейшей диффузии носителей. Несмотря на наличие объемных зарядов, в целом полупроводник остается нейтральным и находится в состоянии электрического равновесия. [52]
 |
Схема для снятия характеристики триода. [53] |
При уменьшении отрицательного напряжения на сетке анодный ток растет в результате компенсации действия отрицательного объемного заряда суммарным полем анода и сетки. При некотором положительном напряжении на сетке действие пространственного заряда полностью нейтрализуется и наступает режим насыщения, аналогичный режиму насыщения диода. [54]
В области, куда в результате диффузии пришли избыточные против нейтральности электроны, возникает отрицательный объемный заряд, а в областях, которые они покинули, - положительный. [55]
Электроны, выходящие из катода, заполняют междуэлектродный вакуумный промежуток и создают в нем отрицательный объемный заряд. Под действием поля этого заряда последующие электроны, эмиттируемые катодом, затормаживаются и возвращаются к катоду. В этом режиме, пока аноду не сообщен положительный потенциал по отношению к катоду, число электронов, эмиттируемых катодом в одну секунду, и число возвращающихся к нему одинаково. Каждому значению эмиссионного тока ( температуре катода) отвечает при этом вполне определенное распределение объемного заряда, концентрация которого постепенно убывает в направлении к аноду. [56]
 |
Анодные характеристики тетрода ( - - - - - - - - - - - - - - расчетные, - - - - - - - - - - реальные. [57] |
Густая экранирующая сетка в значительной степени ослабляет проникновение силовых линий от анода в область отрицательного объемного заряда у катода. [58]
При детектировании в режиме постоянной скорости рекомбинации на напряжение влияет падение напряжения в зоне отрицательного объемного заряда. [59]
Страницы: 1 2 3 4