Положительный пространственный заряд
Cтраница 2
В полупроводниках - типа они образуют отрицательный заряд, нейтрализуемый положительным пространственным зарядом в окружающей области, где концентрация электронов проводимости оказывается ниже своего среднего значения. Поэтому заряженные дефекты, приходящие в эту область, должны сильно притягиваться или отталкиваться дислокацией. Это электростатическое взаимодействие накладывается на чисто упругое взаимодействие и способствует образованию примесных атмосфер или стоку заряженных точечных дефектов. [16]
Действительно, если ф 0, то Е 0 и создается положительный пространственный заряд в результате ухода свободных электронов в глубь образца. Концентрация электронов на поверхности равна ns - 0 и увеличивается до равновесной пй в объеме полупроводника. [17]
Действительно, если ср 0, то Е С 0 и создается положительный пространственный заряд в результате ухода свободных электронов в глубь образца. Концентрация электронов на поверхности равна ns 0 и увеличивается до равновесной п0 в объеме полупроводника. Случай обогащения приповерхностного слоя электронами рассмотрен выше. [18]
Когда все электроны отсосаны, в кристалле GIS вследствие малой подвижности дырок остается положительный пространственный заряд. Это может вызнать два различных ( зависящих ог гни. С высокоомном ( плохо проводящем) крнстн - ле положительный пространственный заряд создает внутреннее поче. [19]
Так как катод заряжен отрицательно, а впереди него находится в разряде слой положительного пространственного заряда, то на катод в разрядной трубке всегда действуют довольно значительные силы. Действие электростатических сил усложняется появлением аэродинамических сил вследствие образования потоков газа. [20]
Так как катод заряжен отрицательно, а впереди него находится в разряде слой положительного пространственного заряда, то на катод в разрядной трубке всегда действуют довольно значительные силы. [21]
 |
Зависимость скорости счета от приложенного напряжения для детекторной трубки. [22] |
Электроны сталкиваются с молекулами газа; при этом образуется еще большее количество электронов и возникает положительный пространственный заряд. За время около 10 - 7 сек, положительный пространственный заряд уменьшает градиент потенциала вблизи нити, и разряд прекращается. Следующий разряд не может произойти до тех пор, пока не будет удален пространственный положительный заряд. Однако положительные ионы, ударяясь о катод, могут вызвать новый разряд. [23]
Действительно, на основании ряда зондовых измерений можно было предположить, что перед катодом накапливается положительный пространственный заряд настолько значительный, что потенциал пространства в этой области оказывается много выше напряжения разряда и во всяком случае выше, чем самый низкий потенциал возбуждения. Вопрос о том, как возникает этот пространственный заряд и каким образом электроны приобретают энергии, достаточные для преодоления тормозящего действия отрицательного поля между пространственным зарядом и анодом, до сих пор остается открытым. Ток на анод в этом случае может протекать через эту область только при условии, если диффузионная скорость дрейфа будет превышать скорость дрейфа в отрицательном поле: последнее возможно лишь при значительных градиентах концентрации н высоких температурах электронов. Экспериментальные факты, выдвигаемые в подтверждение такой схемы, неубедительны. Например, предполагается, что существует ограниченная область высокого положительного потенциала, в которой наблюдается интенсивное свечение ( огненный шар) и которая не пропускает электронов, так что ток, текущий на анод, должен был бы огибать область этого свечения. [24]
Исследования, произведенные с низковольтной дугой в аргоне по методу зондовых характеристик, показали скопление положительных пространственных зарядов на небольшом расстоянии от катода. [25]
 |
Зависимость подвижности от концентрации примеси при 77 и 300 К. вычисленной по формулам Конуэлл - Вайскопфа ( KB и Брукса - Херринга ( БХ для гипотетического нескомпенсированного полупроводника. [26] |
Модельно такую дислокацию можно представить как отрицательно заряженный бесконечно длинный цилиндр радиусом R, окруженный положительным пространственным зарядом. [27]
До разряда может наблюдаться отрицательное поле - 104 В / м, так что может образовываться положительный пространственный заряд между основанием облака и поверхностью Земли. [28]
Действительно, дислокация в кристалле л-типа ведет себя подобно линейному отрицательному заряду, вокруг которого создается положительный пространственный заряд. [29]
По обе стороны от металлургической границы р-и-перехода находятся ионизированные атомы донорной и акцепторной примесей, образующие отрицательные и положительные пространственные заряды. При изменении напряжения, приложенного к переходу, изменяется его ширина, а следовательно, и пространственный заряд. Поэтому плоскостной р-и-переход можно рассматривать как две пластины конденсатора с равными по значению, но противоположными по знаку зарядами ( Qp-Qn), т.е. р-и-переход обладает емкостью. Емкость, обусловленная перераспределением зарядов в переходе, называется барьерной. [30]
Страницы: 1 2 3 4