Произведение - подвижность
Cтраница 1
Произведение подвижности при бесконечном разведении и на число Фарадея F ( a0F / 0) равно электропроводности отдельного иона при бесконечном разведении. [1]
Произведение подвижности и времени жизни носителей тока представляет собой показатель качества фоточувствительности. [2]
Произведение подвижности ионов на количество переносимого ионами электричества представляет величину электропроводности отдельного вида ионов. [3]
Проводимость пропорциональна произведению подвижности на концентрацию. Концентрация носителей в полупроводнике растет с увеличением температуры и затем выходит на плато. [4]
Сравнение уравнений (2.90) и (2.28) показывает, что коэффициент Lu равен произведению подвижности и концентрации частицы i. Здесь следует указать на смысл символов, введенных Ставерманом, которые даны в табл. 2.6: Е и Р означают соответственно разность потенциалов и давлений через мембрану. [5]
Как ожидается из данных на рисунке, более высокие фотов ольтаические показатели будут наблюдаться при больших значениях произведений подвижности на время жизни. [7]
В соответствии с (5.181) свойства полупроводниковых материалов с точки зрения их применения для высокочастотных приборов следует оценивать по произведению подвижностей электронов и дырок, а не по подвижности каких-либо одних носителей. Однако соединение InSb из-за малой ширины запрещенной зоны ( 0 18 эв) можно применять лишь при невысоких температурах; кроме того, время жизни неосновных носителей в этом материале мало. [8]
 |
Зависимость тока в газах от разности потенциалов. В пределах от V а до ] / ь наблюдается ток насыщения, при Vс наступает пробой. [9] |
Если степень ионизации газа велика, а вольтаж незначителен, то величина тока будет возрас тать приблизительно пропорционально скорости передвижения свободных ионов к электродам, т.е. пропорционально произведению подвижности ионов на напряженность поля. Величина тока пропорциональна числу ионов, достигающих электродов за 1 сек. [10]
 |
Диффузионный потенциал и напряжение холостого хода для различных типов солнечных элементов на основе a - Si. [11] |
Теория, описанная в предыдущем разделе, может быть использована не только для объяснения характерных особенностей солнечных элементов на основе a - Si, но и для оценки произведений подвижности на время жизни ( птп, МрТр) и параметров эффективной поверхностной рекомбинации ( Sn, 5p) в реальных элементах. Вычисление этих физических параметров осуществляется на основе анализа спектров эффективности собирания носителей Tj ( a, Va), как функции приложенного напряжения смещения Va. На практике лучше обрабатывать нормализованные спектры эффективности собирания 7j ( a, Ka) / 7j ( a, 0), поскольку такая нормализация компенсирует спектральные зависимости оптической системы. Для приведенных диаграмм свет падает нар-слой и предполагается, что диффузионный потенциал Vb составляет 0 9 В, а приложенное напряжение смещения Va для измерения нормализованной эффективности собирания носителей равны - 1 0 и 0 4 В. Затем, как указывается нарис. [12]
Произведение подвижностей M - n f p У арсенида галлия равно 2 - Ювсм - в - - сек-2, тогда как у кремния этот параметр составляет только 6 - Юьсм - X в-2 - сек-2. Следует ожидать, что для карбида кремния ( щ - Цр 2 - Ю3см - в-2 - сек-2) рабочие частоты будут приблизительно в 30 раз более низкие, чем для арсенида галлия при относительно небольшом ( по сравнению с арсенидом галлия) расширении температурного диапазона. Именно этим и определяется малая перспективность карбида кремния для изготовления транзисторов. [13]
Кроме подвижности, в электрохимии вводится еще величина 1 - иР, представляющая собой величину эквивалентной электропроводности отдельного иона. Она равна произведению подвижности яонов на количество переносимого ионами электричества. [14]
Преимущества соединений III-V перед полупроводниками IV группы менее очевидны в случае умножителя, работающего на усилитель, так как при этом требуется высокое выходное напряжение. Лучшим окажется материал, для которого величина произведения подвижности и коэффициента Холла имеет максимальное значение. [15]
Страницы: 1 2