Произведение - подвижность - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Сумасшествие наследственно. Оно передается вам от ваших детей. Законы Мерфи (еще...)

Произведение - подвижность

Cтраница 2


16 Изменение произведений подвижности на время жизни под воздействием светового облучения и отжига. [16]

При использовании легированных слоев a - SiC или мк - Si параметр эффективной поверхностной рекомбинации на соответствующей границе раздела увеличивается на один или два порядка по сравнению с величинами для p i - или / / n - границ раздела в a - Si. Это может быть связано с влиянием гетероперехода или обусловлено дефектами, создаваемыми электронами и ( или) ионами в процессе осаждения пленки. Сумма произведений подвижности на время жизни ( мптп МрТр) изменяется в пределах от 1СГ8 до 10 - 7см2 / В, что соответствует диффузионной длине носителей 1500 - 5000 А. В табл. 5.1.2 показано влияние примесей, присутствующих в / - слое. Незначительное введение бора ( 8 10 - 4 %) и фосфора ( 4 10 - 3 %) в / - слой понижает значения произведений подвижности на время жизни, поскольку бор и фосфор уменьшают значения этих произведений для дырок и электронов соответственно.  [17]

18 Изменение произведений подвижности на время жизни под воздействием светового облучения и отжига. [18]

При использовании легированных слоев a - SiC или мк - Si параметр эффективной поверхностной рекомбинации на соответствующей границе раздела увеличивается на один или два порядка по сравнению с величинами для р / / - или / / п-границ раздела в a - Si. Это может быть связано с влиянием гетероперехода или обусловлено дефектами, создаваемыми электронами и ( или) ионами в процессе осаждения пленки. Сумма произведений подвижности на время жизни ( МпТп Mpfp) изменяется в пределах от 1СГ8 до 10 - 7см2 / В, что соответствует диффузионной длине носителей 1500 - 5000 А. В табл. 5.1.2 показано влияние примесей, присутствующих в / - слое. Незначительное введение бора ( 8 10 - 4 %) и фосфора ( 4 10 - 3 %) в / - слой понижает значения произведений подвижности на время жизни, поскольку бор и фосфор уменьшают значения этих произведений для дырок и электронов соответственно.  [19]

20 Осциллограмма вольт-амперной характеристики зонда в условиях существования обратной короны. [20]

Соотношение углов наклона каждой ветви характеризует отношение положительного и отрицательного тока в каждой точке. Зависимость потенциала пространства от радиальной координаты поля ( рис. 9) показывает, что возникновение обратной короны на двух слоях ткани сопровождается заметным повышением величин потенциалов в исследованных точках поля при одновременном снижении крутизны характеристики, что приводит к уменьшению велкчин напряженности электрического поля. На рис. 9 даны Танжер-зависимости произведения подвижности ионов на плотность объемного заряда обеих полярностей от радиальной координаты поля.  [21]

На рис. 5.4.12 показаны зависимости первичного тока от напряжения смещения при монохроматическом освещении 500, 600 и 700 нм. Эти данные нормализованы на токи короткого замыкания для каждого элемента. Как и в работах [70, 71] были получены произведения подвижности на время жизни ( fJ - т) неосновных носителей в инвертированномр-г-и-солнеч - ном элементе на основе a - SiGe: Н [ 20 % ( ат. Ge ] в предположении однородного электрического поля в / - слое и без учета диффузионных токов.  [22]

На рис. 5.4.12 показаны зависимости первичного тока от напряжения смещения при монохроматическом освещении 500, 600 и 700 нм. Эти данные нормализованы на токи короткого замыкания для каждого элемента. Как и в работах [70, 71] были получены произведения подвижности на время жизни OUT) неосновных носителей в инвертированномр-г-п-солнеч - ном элементе на основе a - SiGe: Н [ 20 % ( ат. Ge ] в предположении однородного электрического поля в / - слое и без учета диффузионных токов.  [23]

Это связано с тем, что все члены уравнения (2.6.2.01) имеют сравнимые величины. Особенно сложной проблемой является объяснение независимости подвижности от температуры в области Т 100 К. Интересно отметить, что в случае движения ионов через раствор произведение подвижности ионов и вязкости растворителя является величиной постоянной, не зависящей от температуры.  [24]

Как видно из рисунка, чем меньше отношение птп / ртр, тем больше плотность тока короткого замыкания Jsc и коэффициент заполнения ( КЗ) и тем ниже ожидаемая величина напряжения холостого хода Voc. Уменьшение параметра эффективной поверхностной рекомбинации на границе раздела лицевой стороны приводит к улучшению фотовольтаических характеристик. Таким образом, фотовольтаические характеристики в большей степени определяются параметром эффективной поверхностной рекомбинации, чем отношением произведений подвижности на время жизни Иптп1 рТр - При Sn 102 В / см КЗ изменяется немонотонно с изменением коэффициента поглощения. В области реальных коэффициентов поглощения нелегированных a - Si: Н пленок, способных генерировать фотоносители при освещении в условиях АМ-1, КЗ несколько увеличивается с увеличением коэффициента поглощения, т.е. с уменьшением длины волны падающего света.  [25]

26 Световые ВАХ в зависимости от суммы ( иптп личных коэффициентов поглощения падающего света [ 1 3J.| Плотность тока короткого замыкания Jsc, напряжение холостого хода Voc и коэффициент заполнения КЗ в зависимости от коэффициента поглощения для различных значений м м / МрТп ( 1 - 0 1. 2 - 10 и Sn ( 3 - 102 В / 4 - 104. 5 - 106 [ 13J. [26]

Как видно из рисунка, чем меньше отношение м м / Мртр, тем больше плотность тока короткого замыкания Jsc и коэффициент заполнения ( КЗ) и тем ниже ожидаемая величина напряжения холостого хода Voc. Уменьшение параметра эффективной поверхностной рекомбинации на границе раздела лицевой стороны приводит к улучшению фотовольтаических характеристик. Таким образом, фотовольтаические характеристики в большей степени определяются параметром эффективной поверхностной рекомбинации, чем отношением произведений подвижности на время жизни Иптп1 рТр - При Sn 102 В / см КЗ изменяется немонотонно с изменением коэффициента поглощения. В области реальных коэффициентов поглощения нелегированных a - Si: Н пленок, способных генерировать фотоносители при освещении в условиях АМ-1, КЗ несколько увеличивается с увеличением коэффициента поглощения, т.е. с уменьшением длины волны падающего света.  [27]

Одновременно на рис. 9.1 показано изменение относительной дипольной диэлектрической восприимчивостиХ ( ЕО - too) ЮО / С, характеризующей поляризацию одного и того же объема полярных молекул в различном состоянии, определяемом природой растворителя и концентрацией смолы. Значение 1v в области малых концентраций резко возрастает с повышением концентрации смолы. Лучшая сольватация бензолом и ксилолом молекул и агрегатов олигомера, содержащего бензольные кольца фталевого ангидрида, приводит к снижению Vv T - e - K снижению произведения подвижности на число ионов, обусловливающих проводимость. Отсюда следует, что полярные молекулы олигомера не только являются источником ионов, но их взаимодействие и состояние существенно определяют механизм движения ионов в электрическом поле. Интересным фактом является то, что значение Vv B максимуме для одной и той же смолы во всех растворителях одинаково. Это было отмечено для различных смол и свидетельствует о том, что экстремум возникает при определенном коллоидно-химическом строении раствора, несмотря на разницу в концентрации смолы в различных растворителях.  [28]

При использовании легированных слоев a - SiC или мк - Si параметр эффективной поверхностной рекомбинации на соответствующей границе раздела увеличивается на один или два порядка по сравнению с величинами для p i - или / / n - границ раздела в a - Si. Это может быть связано с влиянием гетероперехода или обусловлено дефектами, создаваемыми электронами и ( или) ионами в процессе осаждения пленки. Сумма произведений подвижности на время жизни ( мптп МрТр) изменяется в пределах от 1СГ8 до 10 - 7см2 / В, что соответствует диффузионной длине носителей 1500 - 5000 А. В табл. 5.1.2 показано влияние примесей, присутствующих в / - слое. Незначительное введение бора ( 8 10 - 4 %) и фосфора ( 4 10 - 3 %) в / - слой понижает значения произведений подвижности на время жизни, поскольку бор и фосфор уменьшают значения этих произведений для дырок и электронов соответственно.  [29]

При использовании легированных слоев a - SiC или мк - Si параметр эффективной поверхностной рекомбинации на соответствующей границе раздела увеличивается на один или два порядка по сравнению с величинами для р / / - или / / п-границ раздела в a - Si. Это может быть связано с влиянием гетероперехода или обусловлено дефектами, создаваемыми электронами и ( или) ионами в процессе осаждения пленки. Сумма произведений подвижности на время жизни ( МпТп Mpfp) изменяется в пределах от 1СГ8 до 10 - 7см2 / В, что соответствует диффузионной длине носителей 1500 - 5000 А. В табл. 5.1.2 показано влияние примесей, присутствующих в / - слое. Незначительное введение бора ( 8 10 - 4 %) и фосфора ( 4 10 - 3 %) в / - слой понижает значения произведений подвижности на время жизни, поскольку бор и фосфор уменьшают значения этих произведений для дырок и электронов соответственно.  [30]



Страницы:      1    2