Производство - кристалл
Cтраница 1
 |
Кристаллизатор периодического действия с перемешиванием. [1] |
Производство кристаллов при естественном испарении в принципе подобно кристаллизации в сборнике. Этот процесс широко осуществляют в местах с сухим климатом для добычи солей из морской воды или из других вод с высоким содержанием минералов. Сборники заменяют в этом случае водоемами, в которые вода, содержащая соли, поступает во время приливов или закачивается насосами. [2]
Видное место занимает химический синтез в производстве разнообразных кристаллов, минералов, металлов и сплавов. Советскими учеными разработан метод получения искусственных алмазов, найден способ получения нового материала - боразона, превосходящего алмаз по твердости и более приспособленного для изготовления абразивного инструмента. [3]
Затраты на проектирование ИМС малой степени интеграции при наличии отработанного технологического процесса невелики, так как время разработки невелико ( несколько недель), затраты на производство кристалла малой площади незначительны, выход годных ИМС велик, корпус малой ИМС стоит дешевле, ее универсальность выше и. [4]
Затраты на проектирование БИС и СБИС велики ( время разработки - месяцы и даже годы, работа по проектированию на больших ЭВМ - сотни часов), затраты на производство кристалла БИС также повышенные, выход годных изделий меньше, объем производства БИС более высоких степеней интеграции меньше, поскольку область их применения сужается ( потеря универсальности, см. книгу 3 серии), а стоимость многовыводных корпусов БИС высока. [5]
Например, производство крупных призмоподобных кристаллов дигид-рофосфата аммония, применяемого из-за пьезоэлектрических свойств, облегчается при введении в кристаллизующийся раствор 1821 малых количеств железа. Эта форма необходима для такого материала в тех случаях, когда он применяется в качестве удобрения. [6]
Однако даже в этой высокопрочной форме пламенно-полированные сапфировые стержни не могли рассматриваться как приемлемые волокна дня армирования, так как каждый такой короткий стержень изготовлялся индивидуально, а выращивание кристаллов, их обработка и полирование являлись дорогостоящими операциями. Все же возможность производства массивных высокопрочных кристаллов сапфира значительно упростила изучение явлений взаимодействия между сапфиром и никелевыми сплавами, которое было невозможно в случае нитевидных кристаллов. Изучение пламенно-полированных стержней в качестве упрочняющих элементов в композиционных образцах малого размера было предпринято авторами для оценки потенциальных возможностей композиционной системы Ni - A12O3, причем более простым и прямым способом, нежели при использовании нитевидных кристаллов. [7]
Автоматический отбор образцов механическими средствами предпочтительнее ручного, а таиже наиболее пригоден для не-щр йрышнопо процесса. Ручной отбор, широко применяемы и для периодических процессов производства кристаллов, требует много времени и сопряжен с некоторыми ошибками, но его применения нельзя избежать во всех случаях. [8]
Металлический германий - твердое хрупкое ясно выраженное кристаллическое серовато-белое вещество ( уд. Подобно кремнию, является полупроводником и широко применяется в производстве детекторных кристаллов. [9]
Хотя многие методы и процессы описаны в данной работе применительно к специфическим процессам и отраслям промышленности, все же была предпринята попытка рассмотреть данный вопрос в общем виде. Особое внимание было уделено более новым и недавно разработанным технэлогическим методам, даже еще не пригодившимся в производстве кристаллов в крупном масштабе. [10]
Даже после того, как аппаратура полностью сконструирована, необходимо провести много испытаний методом проб и ошибок для определения точных рабочих условий производства кристаллов данного типа. Однако ни у кого не должно складываться впечатления, что конструирование кристаллизатора основывается на догадках. В то же время нельзя недооценивать того, что построение крупномасштабной кристаллизационной аппаратуры, вероятно, гораздо труднее конструирования любой другой установки в химической промышленности. [11]
Стремясь добиться того, чтобы конструкторы опирались на предыдущие разработки, не начиная всякий раз с нуля, группа под руководством Ю создала базу данных, содержащую лучшие методы решения технических проблем, доступ к которой из различных конструкторских центров Intel обеспечивается через браузерный интерфейс. Компания Intel также разработала программные средства, предназначенные для предварительного контроля корректности разрабатываемых схем, а также для отслеживания дефектов и идентификации проблем на этапе производства кристаллов. Совокупность программных средств, внедренных в рамках проекта D2000, позволила корпорации Intel почти удвоить скорость выпуска новой продукции по сравнению с предыдущими показателями, которые держались в компании примерно на одном уровне с 1994 года. Intel неуклонно приближается к цели, поставленной программой D2000: первый же вариант проекта новой микросхемы должен быть готов к запуску в серийное производство, без необходимости многократной его переработки для усовершенствования конструкции. [12]
В связи с тем что температура плавления ИАГ и редкоземельно-алюминиевых гранатов очень близки ( в пределах 1930 - 1980 С) режим работы установок при синтезе технических гранатов практически не отличается от таковых при производстве ювелирных кристаллов. [13]
Качество многих химических процессов часто зависит от того, насколько точно удается отдозировать реагенты. Обычно точность пытаются обеспечить применением сложных механизмов, анализаторов, ЭВМ. Примером может служить производство кристаллов карбида кремния. Сырьем для получения кристаллов служат газообразные соединения кремния и углерода, причем требуется очень точное соотношение этих газов. Громоздкое и капризное дозирующее оборудование усложняет и удорожает производство. [14]
Термин постоянное запоминающее устройство используется, как правило, применительно к устройствам с масочным программированием. Масочное программирование выполняется производителем в процессе изготовления кристалла. Изготовитель делает маску, которую затем использует при производстве кристалла. Когда кристалл изготовлен, то никакие изменения не могут быть внесены в программу, в противном случае заменяется весь кристалл. Начальная стоимость маски довольно высокая, и тем не менее такая память является самой дешевой из имеющихся. В настоящее время имеются постоянные запоминающие устройства на кристаллах емкостью от 256 бит до 64 Кбит. [15]
Страницы: 1 2