Cтраница 2
Слеживание может быть снижено до минимума при снижении числа контактов между кристаллами, что в свою очередь достигается благодаря производству кристаллов одинакового размера. Кристаллы должны быть как можно более крупными: чем меньше кристаллы, тем больше площадь обнаженной поверхности на единицу массы. [16]
В случае использования CPLD для отражения структуры конкретной схемы в инвариантном по отношению к приложению множестве функциональных ячеек требуется выполнить заключительные технологические операции металлизации. Следовательно, при использовании CPLD и FPGA необходимо с помощью САПР выбрать систему связей между ячейками программируемого прибора в соответствии с реализуемыми в схеме алгоритмами и синтезировать программы управления программатором или заключительной операцией металлизации. Ячейки могут быть достаточно сложными логическими схемами, вентилями или даже отдельными транзисторами. На производстве кристаллов ПЛИС специализируется ряд фирм, например ХШпх, Altera, Actel и другие, зачастую эти же фирмы поставляют ПО для синтеза схем на производимых ими ПЛИС. [17]
До сих пор мы рассматривали элементную базу ЭВМ как некоторый исходный базис, объединяемый в ЭВМ структурными и архитектурными решениями. Если две последние задачи решаются при помощи САПР, то при помощи САПР должна решаться и задача оптимальной увязки архитектуры процессора с проектированием кристалла СБИС. Как же быть с архитектурой кристалла, ведь в процессе оптимальной технологической подготовки производства кристалла она может быть изменена. [18]
Лучшие с точки зрения производительности и качества кристаллов результаты получены при высоких степенях заполнения в диапазоне давлений 800 - 1500 - 105 Па. Как отмечалось, увеличение температуры синтеза усиливает интенсивность цитриновой окраски, но вследствие морфологической неустойчивости плоскости пинакоида в высокотемпературных гидротермах в пирамиде с нередко появляются игловидные каналы, следующие в направлении оптической оси кристалла. Эти несовершенства являются, пожалуй, единственным дефектом синтетического цитрина, для устранения которого требуется вести процесс перекристаллизации при строго контролируемых значениях термобарических параметров. Значительные ( порядка 0 4 - 0 6 мм / сут) величины скорости роста обеспечивают высокую экономичность производства кристаллов цитрина гидротермальным методом. [19]
Для исследования причин нестабильности физических свойств синтетического кварца и факторов, влияющих на образование ростовых дефектов кристаллов, во ВНИИСИМС в 1957 г. на базе систематического анализа результатов лабораторных и опытно-промышленных циклов кристаллизации был оптимизирован процесс синтеза и совместно с технологами опытного производства разработаны вначале технологический регламент синтеза пьезокварца для серийного завода, а в дальнейшем - промышленные процессы получения всех разновидностей технического кристалло-сырья кварцевой группы. Такое положение достаточно наглядно характеризует значительное расширение экспериментальных возможностей ВНИИСИМС в период отработки промышленного метода синтеза пьезокварца. Экспериментальные исследования показали, что пониженное качество кристаллов связано с захватом примеси коллоидно-дисперсной фазы, выделяющейся из раствора. Для производства кристаллов пьезокварца, удовлетворяющих по качеству требованиям радиопромышленности, были отработаны режимы кристаллизации, исключающие захват этой примеси. Выявлены и устранены также факторы, вызывающие образование трещин и включений в кристаллах, детально исследован механизм формирования ростовых дислокаций в кварце и их влияние на оптические свойства синтетического кварца. Результаты технологических исследований были сопоставлены с данными измерений внутреннего трения в кварце, проведенных О. М. Орловым, и установлена корреляция между радиофизическими характеристиками синтетического кварца и условиями его выращивания. [20]