Cтраница 4
В конце концов установится стационарное состояние: заселенности магнитных уровней перестанут меняться, радиочастотная энергия будет равномерно поглощаться парамагнетиком. [46]
![]() |
Сигнал поглощения, наблюдаемый при. [47] |
Поглощение квантов СВЧ также сопровождается изменением разности заселенностей уровней, поэтому рассмотрим изменения заселенности при одновременном протекании процессов релаксации и поглощения квантов СВЧ. [48]
![]() |
Импульсный рубиновый лазер. а - схема. б - энергетически. уровйн. [49] |
Генерация излучения продолжается до тех пор, пока заселенности уровней 1 и 2 не сравняются. [50]
![]() |
Импульсный рубиновый лазер. а - схема. б - энергетически. уровйи. [51] |
Генерация излучения продолжается до тех пор, пока заселенности уровней / и 2 не сравняются. [52]
Очевидно, что он не зависит от распределения заселенностей уровней. [53]
Скорость поглощения энергии dE / dt существенно зависит от заселенности уровней. [54]
Таким образом, можно создавать значительно большую разницу в заселенности уровней, чем это было бы возможно в присутствии только внешнего магнитного поля. [55]
Как уже говорилось, интенсивность линии определяется разностью в заселенности уровней и вероятностью перехода. В первом приближении вероятности перехода оценивают, используя правила отбора, которые вообще запрещают некоторые переходы. Критерием является необходимость изменения при поглощении одной из компонент мультиполя поглощающей системы, чтобы поглощение света производило над системой работу. [56]
В ряде практических задач, например при определении разности заселенностей уровней по полному поглощению, возникает потребность представить функцию реабсорбции или кривую роста в таком виде, чтобы параметры компонент линии ( чаще всего - компонент сверхтонкой структуры) непосредственно входили в окончательную расчетную формулу. Пусть все сверхтонкие компоненты линии обладают допплеровским исходным профилем с полушириной бдоппл. [57]
Добавочный вклад A j в энергию ионов пропорционален дисперсии заселенностей уровней Jk gkfk ( l - fk ] и матричным элементам Vki электростатического взаимодействия. [58]
За бесконечно большое время даже под действием слабого поля заселенности уровней рпп могут сильно измениться. [59]
![]() |
Схема, иллюстрирующая установление разности заселенностей уровней в сшнг-системе ( а, взаимодействующей с решеткой ( б. [60] |