Инверсная заселенность

Cтраница 1

Инверсная заселенность обнаружена в целом ряде химических и фотохимических реакций. [1]

Инверсная заселенность создается между уровнями Е и Е2 методом оптической накачки. Важно, чтобы основная масса энергии, излучаемой источником накачки, попадала в полосы поглощения активного вещества и эффективно использовалась для создания инверсной заселенности в системе рабочих уровней. [3]

Инверсная заселенность достигается обычно не во всем спектре энергетических состояний, а лишь в зонах, примыкающих к запрещенной зоне полупроводника. В этих условиях падающий квант электромагнитного излучения ( индуцирующий фотон) может индуцировать испускание такого же кванта, переводя электрон из зоны проводимости в валентную зону. Следовательно, создаются условия, когда электромагнитное излучение преобладает над поглощением. Это способствует нарастанию фотонной лавины и усилению когерентного электромагнитного излучения. [4]

Инверсная заселенность активных частиц, а иногда и их образование происходят аналогично газоразрядному способу и поэтому эти методы возбуждения напоминают друг друга. Различие заключается лишь в том, что при пучковом возбуждении электроны не рождаются в рабочем теле, а вводятся в него из специального ускорителя. [5]

Поэтому инверсная заселенность иногда рассматривается как ситуация с отрицательной температурой. [6]

Создание инверсной заселенности в твердотельных лазерах осуществляется оптической накачкой - освещением мощными источниками света, имеющими яркие линии или полосы в области спектра поглощения излучающего тела. В газовых лазерах инверсия, как правило, образуется при определенных условиях электрического разряда. [7]

Выравнивание инверсной заселенности уровней соответствует стремлению Т - - оо, при Т - оо заселенности уравниваются и при положительных Т инверсная заселенность отсутствует. Спиновые системы с отрицательными температурами наблюдались в кристаллах, причем их поведение согласовалось с теми общими закономерностями, которые были обсуждены выше. [8]

Способы создания инверсной заселенности активных частиц зависят не только от конкретной схемы уровней и свойств этих частиц, но и от свойств других компонент активной среды, называемой рабочим телом лазера. В качестве рабочих тел современных технологических лазеров с успехом используются газовые смеси, а также различные конденсированные среды: кристаллы, стекла, полупроводники и жидкости. Наибольшее распространение в лазерных системах получили оптический, газоразрядный, газодинамический и химический методы накачки. [9]

Схема уровней для гелий-неонового лазера. [10]

Среда с инверсной заселенностью способна усиливать световое излучение, проходящее через нее. Однако нужно создать такие условия, при которых стимулированное усиление компенсирует потери в системе. Для этого активное вещество помещают в оптический резонатор, образованный двумя параллельными зеркалами, расстояние между которыми больше длины волны света. Такой резонатор способствует усилению только той волны, которая распространяется вдоль оси резонатора. Волны, направление распространения которых составляет некоторый угол с осью резонатора, если значение этого угла превышает некоторую критическую величину, выходят из резонатора без усиления. [11]

Среда с инверсной заселенностью, способная усиливать проходящий через нее световой поток, называется активной. Между последовательными отражениями от зеркал при прохождении через активную среду световой поток усиливается. Эта система образует активный оптический резонатор. При отражении от зеркал излучение частично ослабляется. Одно из зеркал делается с максимально возможным коэффициентом отражения, а через другое зеркало свет в определенной пропорции выходит из системы, образуя ее излучение, которое называется лазерным. Кроме потерь света при отражении от зеркал имеются потери за счет рассеяния в среде и других дифракционных эффектов. Для работы системы в качестве генератора света необходимо обеспечить определенный баланс между усилением светового потока при прохождении через активную среду и ослаблением за счет всех факторов, включая само лазерное излучение. [12]

Среду с инверсной заселенностью энергетических уровней5 принято называть активной. [13]

Основные элементыГгелий - неонового лазера. 1 - разрядная трубка, 2 3 - зеркала. [14]

Среда с инверсной заселенностью помещается между параллельными зеркалами, играющими роль резонатора. [15]

Страницы: 1 2 3 4