Cтраница 4
![]() |
Энергетические уровни атомов гелия и неона. [46] |
Кратко обсудим процессы, которые обеспечивают инверсную заселенность уровней неона. [47]
Кратко обсудим процессы, которые обеспечивают инверсную заселенность уровней неона. Излучению с длинами волн 632 8 и 1150 нм соответствуют переходы Ез - tEi и E - Ei. Помимо уровней Е / 4, ЕЗ, Е %, EI, атом неона имеет еще 28 состояний с энергиями, меньшими ЕЗ, но они для нас несущественны и на рис. 40.11 не указаны. В результате столкновений с электронами газоразрядной плазмы часть 40.11. Энергетические уровни атомов возбуждается, что отмече - атомов гелия и неона; числа у стре-но на рис. 40.11 вертикальными штриховыми стрелками. [48]
Таким образом, в этих условиях реализуется инверсная заселенность по уровням поперечной энергии. [49]
Лазерами на самоограниченных переходах называютсяГ системы, инверсная заселенность которых исчезает в результате появления генерации. Такие лазеры могут работать только в импульсно-периодическом режиме. Наиболее типичным предствителем этого класса являются газоразрядные лазеры на парах металлов. Генерация в них осуществляется на переходах между электронными уровнями. На рис. 4.19 изображена схема уровней атома меди - одного из наиболее перспективных рабочих веществ. [50]
Однако введение примесей не приводит к созданию инверсной заселенности ни между зонами, ни внутри них. Избыточные носители ( электроны) в зоне проводимости находятся в тепловом равновесии с дырками донорных уровней. Аналогично избыточные дырки в валентной зоне уравновешиваются электронами, находящимися на акцепторных уровнях. Особое положение имеет место в случае использования полупроводника с р - / г-переходом. [51]
![]() |
Энергетические чровпи иона Сг3 и лазерное излучение о кристалле рубина. [52] |
Это значит, что успевает образоваться состояние инверсной заселенности. [53]
Как видно из этого уравнения, получение инверсной заселенности среды возможно при больших скоростях заселения и времени жизни верхнего уровня и малых скорости заселения и времени расселения нижнего уровня. [54]