Cтраница 3
Необходимость решения задачи комплексной автоматизации производства элементов на базе машин третьего класса диктуется поэтому прежде всего требованием получения одинаковой и достаточно высокой производительности на всех операциях. [31]
Следующие три группы относятся к производству элементов конструкций и машин и восстановлению элементов конструкций, пострадавших от взрывов. [32]
Химический состав цинка.| Габариты цинковых ронделлей для отрицательных электродов марганцево-цинковых элементов. [33] |
Цинковые листы, применяемые при производстве элементов и батарей, должны быть гладкими, без вмятин и углублений. На них не должно быть отверстий, следов окисления. [34]
На основании достигнутого уровня надежности в производстве элементов и систем оценивают пути выполнения определенных или поставленных требований к новой системе. [35]
Специальные установки разрабатывают для микросварки в производстве модульных элементов и различного рода твердых радиосхем. Особенности заключаются в первую очередь в точном дозировании тепловой энергии, перемещении луча по изделию с помощью отклоняющих электрических и магнитных полей, совмещении нескольких технологических функций, выполняемых электронным лучом в одной камере. Поскольку вакуумные камеры и вакуумные системы стоят наиболее дорого, рациональности выбора их конструкций уделяется большое внимание. [36]
Специальные установки разрабатывают для микросварки в производстве модульных элементов и различного рода твердых радиосхем. Особенности заключаются в первую очередь в точном дозировании тепловой энергии, перемещении луча по изделию с помощью отклоняющих электрических и магнитных полей, совмещении нескольких технологических функций, выполняемых электронным лучом в одной камере. Поскольку вакуумные камеры и вакуумные системы стоят дорого, рациональности выбора их конструкций уделяется большое внимание. [37]
Рассмотрим процессы и оборудование, применяемое тфи производстве элементов и батарей. [38]
В соответствии с этой схемой предусмотрено использование для производства элементов оконных блоков линий по раскрою пиломатериалов, обработке брусков, зачистке поверхностей и обработке по периметру кромок оконных створок. [39]
В общем случае длительность первого интервала определяется культурой производства элементов, качеством работы заводского отдела технического контроля. [40]
Капиталистический метод производства ( необходимость длительш го времени производства элементов основного капитала) и принцип ако лерации ( Афталион, Пигу, Дж. [41]
Величины сопротивлений в омах, на которые производились разряды. [42] |
Как уже упоминалось, все материалы, применяемые для производства элементов РЦ, должны быть высокой степени чистоты. Производство элементов РЦ условно можно разделить на четыре участка: изготовление и гальваническое покрытие корпусов никелем и крышек оловом; изготовление и запрессовка в корпуса и крышки активных масс; приготовление электролита и деталей элементов; сборка элементов и батарей. Корпуса и крышки штампуют на прессах из стальной ленты, подвергают галтовке для снятия заусенцев, обезжиривают и отправляют на гальваническое покрытие. Для этого необходимо придать материалу корпуса некоторую пластичность. С этой целью корпуса подвергают отжигу в течение 1 ч при 650 - 750 С. Иногда отжиг производится до гальванического покрытия никелем. Применяют отжиг либо в закрытых стальных коробках, либо в кварцевых ампулах под вакуумом. Вакуумирование имеет целью предохранить корпуса от окисления при отжиге. [43]
Система с использованием однонаправленного воздушного потока в операционной палате. [44] |
Основным потребителем чистых помещений является полупроводниковая промышленность, занимающаяся производством элементов микроэлектроники и процессоров для компьютеров, автомобилей и других механизмов. На рис. 1.2 представлена микрофотография полупроводникового прибора с находящейся на его певерхности загрязняющей частицей. Такие частицы могут вызывать электрическое замыкание и выход полупроводникового прибора из строя. Для того, чтобы избежать проблем, связанных с загрязнениями, производство полупроводниковых приборов размещают в чистых помещениях, отвечающих очень высоким требованиям чистоты. [45]