Проникновение - атом
Cтраница 3
 |
Схема упаковки деталей в контейнер при напылении их из порошков. [31] |
Для диффузионного насыщения необходимо создание благоприятных условий получения активных атомов насыщающих элементов. Наконец, ответственный этап - диффузия, проникновение атомов в глубь кристаллической решетки поверхностных слоев. [32]
Высокотемпературный нагрев кобальтовых систем также приводит к интенсивному протеканию взаимной диффузии металла основы и покрытия. Например, термическая обработка при 800 С вызывает проникновение атомов железа из основы в Со - Р - по-крытие на глубину 15 - 20 мкм; одновременно с этим происходит диффузия атомов кобальта и фосфора в железо основы с образованием переходного слоя. [33]
 |
Параметры различных видов полупроводниковых диодов. [34] |
Основной частью кремниевого вентиля является тонкая пластина кремния, обладающего электронной проводимостью благодаря внесению донорной примеси - элемента пятой группы. Эта пластина сплавляется с куском алюминия - элемента третьей группы: вследствие проникновения атомов алюминия в кремний в последнем образуется слой, обладающий дырочной проводимостью. [35]
Хемосорбция кислорода, как и водорода, образует подвижный слой. Однако для последнего за счет большой электроотрицательности кислородных атомов имеется большая вероятность проникновения хе-мосорбированных атомов под поверхностный слой решетки. Это должно быть характерно для гранецентрированной решетки. Хемосорбирован-ный атом, попадая в ячейку поверхностного слоя решетки, будет окружен 14 атомами металла. [36]
Если при зонной очистке применять весьма небольшую скорость кристаллизации, точное регулиропанне температурного режима и монокристаллическую затравку, можно получить не пол и кристаллический слиток, а монокристалл. При этом имеет место более глубокая очистка, ибо совершенная мошкристал-личсская структура служит надежной защитой от проникновения атомов или молекул неизоморфных примесей в кристаллическую решетку. [37]
Основное влияние оказывает напряжение электростатического поля тлеющего разряда, которое дает возможность разогнать ионы азота до скорости, позволяющей им проходить несколько атомных слоев кристаллической решетки, не задерживаясь из-за соударений с ее ионами. При обычном азотировании оба процесса адсорбции и диффузии протекают дифференцированно во времени, причем глубокое ( на несколько атомных слоев) проникновение атомов и ионов азота практически исключено. Необходимо также отметить, что при насыщении в тлеющем разряде часть ионов диффундирующего элемента испытывает упругое соударение с атомами кристаллической решетки насыщаемого металла. Возникающий при этом локальный перегрев до температур порядка нескольких десятков тысяч градусов способствует ускорению миграции ионов диффундирующего элемента в глубь металла. Определенную роль играет и очистка поверхности металла в результате катодного распыления. [38]
Механизм проникновения газа может быть атомарным и молекулярным. Проницаемость металлов для водорода возрастает пропорционально корню квадратному из величины давления; это явление объясняется диссоциацией молекулярного водорода на атомы и проникновением атомов сквозь металл. При десорбции на стороне низкого давления происходит рекомбинация атомов, и в вакуумную камеру попадает водород в молекулярной форме. Скорость проникновения водорода через стекла и эластомеры пропорциональна давлению, так как в этом случае он проникает в молекулярной форме. [39]
Дальнейшее окисление определяется скоростью проникновения атомов кислорода через эту пленку. Они являются относительно плотными и скорость проникновения атомов кислорода через них невелика. При температуре выше 570 С окалина состоит в основном из рыхлого оксида FeO. Через пленку этого оксида атомы кислорода проникают очень легко и скорость окисления многократно возрастает. [40]
Реакции при термических и термохимических технологически; процессах протекают в жидкой и твердой фазах. Течение твердофазных реакций определяется двумя механизмами диффузией и процессами на границе фаз. Диффузия в твердых те лах есть процесс проникновения атомов одного вещества в друго через границу контакта тел в результате теплового движения ато мов. [41]
 |
Две возможные структуры меднозакисного выпрямителя. [42] |
Таким образом, в селеновом выпрямителе существует запорный слой на границе полупроводников с противоположными механизмами проводимости. Слой селенистого кадмия образуется во время электрической формовки; формовкой называют необходимый для селенового выпрямителя процесс пропускания через него в течение длительного времени сильного тока обратного направления, после чего выпрямитель приобретает достаточно большое сопротивление обратному току и начинает хорошо выпрямлять. Легко видеть, что ток обратного направления способствует электролитическому проникновению атомов Cd в глубь селена и образованию слоя селенистого кадмия. Формовка необходима и для сернистомедных выпрямителей, однако меднозакисные в ней не нуждаются. [43]
 |
Влияние радиуса сферических частиц титана на скорость нагрева при толщине пленки,. [44] |
Для сохранения постоянства толщины Карбидной пленки, образованной на сферических частицах титана, при увеличении радиуса частиц необходимо уменьшить скорость нагрева. Непосредственное влияние на скорость подъема температуры в интервале 1670 - 2100 С оказывает и толщина образованной при температуре 1600 С карбидной пленки у. Для частиц любого радиуса с уменьшением толщины исходной карбидной пленки увеличивается скорость проникновения атомов углерода в реакционную зону. Тогда для предотвращения роста карбидной пленки необходимо увеличить скорость подъема температуры. И, наоборот, для проникновения атомов углерода, через карбидную пленку большей толщины требуется большее время и соответственно следует уменьшить скорость нагрева. [45]
Страницы: 1 2 3 4