Проникновение - атом
Cтраница 4
Есть и другая точка зрения, согласно которой первичным является процесс взаимной диффузии атомов через контактирующие друг с другом выступы на свариваемых поверхностях. Уже в ходе такого обмена подвижность атомов возрастает и становится возможным установление связей между чужими атомами, которые разделены впадинами на обеих свариваемых поверхностях. Иными словами, согласно первой гипотезе, для получения сварного соединения вовсе не обязательно проникновение атомов одной детали в глубь другой. Вторая гипотеза предполагает необходимость такого проникновения для обеспечения требуемой сплошности сварного соединения. Мы полагаем, что для диффузионной сварки в ее каноническом виде более точна первая гипотеза. [46]
Таким образом, фосфор в повышенных количествах вызывает в железе и стали хладноломкость. Хладноломкость связывают часто с тем, что Р вызывает сильный рост зер-зн в металле. Однако такое объяснение вредного влияния фзсфэра не всегда убедительно, и можно полагать, что причиной хладноломкости является проникновение атомов Р в решетку Fe и искажение последней. Особенно вредно фзсфзр влияет на сталь в присутствии повышенного количества углерода. Невидимому, вредное влияние Р здесь обусловливается особенно сильной его ликвацией и обогащением фосфором отдельных участков в слитке и в отдельных зернах. [47]
Задача повышения износостойкости инструментального материала в условиях абразивного изнашивания также может быть решена путем комбинированного облучения. Обеспечение требуемых свойств, главным образом высокой твердости инструментального материала, достигается последовательным облучением слаботочными и сильноточными ионными пучками. Такое сочетание позволяет наряду с получением высокой твердости поверхности ( за счет воздействия мощного пучка) обеспечить проникновение внедренной примеси на большую глубину ( по сравнению с проникновением атомов при ионной имплантации) и легирование глубинных слоев твердого сплава. [49]
При этом следует, конечно, учитывать, что зависимость концентрации В в А от расстояния до поверхности плавная. Со - Дальше она постепенно понижается до нуля. Это связано с тем, что за одно и то же время разные атомы успевают продиффундировать на разную глубину. Величина V Dt выражает среднюю глубину проникновения атомов. [50]
Исследования диодов с доменом показали, что их пробой начинается обычно у анода. Это обусловлено тем, что при достижении доменом анода увеличивается электрическое поле у анода. Поскольку поле в сечении анодного контакта может быть неоднородно, проникновение атомов из анодного контакта может привести к созданию высоколегированного проводящего канала, который в силу высокой проводимости будет шунтировать остальной объем диода. [51]
Другой способ контролируемого введения примесных атомов в кремний основан на так называемом ионном легировании. По сравнению с диффузией метод ионного внедрения имеет ряд преимуществ, которыми определяется его широкое практическое применение. Кроме того, концентрация примесных атомов при ионном легировании не ограничивается предельной растворимостью, как при диффузии. Недостаток метода ионного легирования заключается в относительно неглубоком ( менее 1 мкм) проникновении атомов основных легирующих элементов внутрь полупроводника. Поэтому ионное легирование обычно используют в сочетании с диффузионными методами. [52]
Следует считать, что свет возбуждает молекулу красителя, а тепловое движение переводит возбужденный электрон в зону проводимости. Даже слабые следы кислорода резко снижают как фотопроводимость, так и остаточную темновую проводимость. Если кислород сперва напустить и затем удалить в темноте, то фотопроводимость сохраняется; если же эта процедура осуществляется на свету, то проводимость не восстанавливается. Однако вряд ли этот процесс может иметь место в толще слоя, если невероятно проникновение атомов О в такие решетки, как ZnO и А1203; более того, сильный эффект наблюдается с галоидами, которые определенно не проникают глубоко в решетку. [53]
В его работах изучены физико-химические закономерности процесса образования диффузионных покрытий на железе и его сплавах, выявлены условия, при которых возможно образование диффузионных покрытий на железе и его сплавах, выявлены условия, при которых возможно образование диффузионных покрытий, и разработаны эффективные методы нанесения последних. Рядом исследователей показано, что в том случае, когда имеется значительная разница в рядах кристаллической решетки между атомами диффундирующего вещества и подложки, наблюдаются искажения решетки основного металла, которые могут привести к потере упругой устойчивости решетки и к разрушению поверхностного слоя металла. Образование качественных диффузионных слоев возможно лишь в том случае, когда поверхностные слои решетки подложки не претерпевают сильных искажений в местах проникновения атомов покрытий. [54]
Очень часто высказываются утверждения, что некоторые металлы обладают при известных условиях способностью растворять кислород. По нашему мнению, такая формулировка не только недостаточна, но и способна ввести в заблуждение. Поэтому в [21] этому вопросу было уделено большое внимание. Было отмечено, что в одних случаях происходит поверхностное окисление металла, в других случаях - образование окиси по границам зерен. Что касается проникновения атомов или молекул кислорода в решетку металла, то оно представляется мало вероятным, ибо атомы кислорода долж-ны переходить в ионное состояние с соответствующим увеличением размеров, а молекулы имеют еще большие размеры. [55]
Для сохранения постоянства толщины Карбидной пленки, образованной на сферических частицах титана, при увеличении радиуса частиц необходимо уменьшить скорость нагрева. Непосредственное влияние на скорость подъема температуры в интервале 1670 - 2100 С оказывает и толщина образованной при температуре 1600 С карбидной пленки у. Для частиц любого радиуса с уменьшением толщины исходной карбидной пленки увеличивается скорость проникновения атомов углерода в реакционную зону. Тогда для предотвращения роста карбидной пленки необходимо увеличить скорость подъема температуры. И, наоборот, для проникновения атомов углерода, через карбидную пленку большей толщины требуется большее время и соответственно следует уменьшить скорость нагрева. [56]
Рентгенографические методы могут применяться и для исследования аморфных катализаторов. Рассеяние рентгеновских лучей определяется в этом случае функцией радиального распределения атомов в объеме вещества. Специальная методика рентгенографической съемки и математической обработки экспериментальных данных позволяет установить вид этой функции. Исследование аморфных и мелкодисперсных катализаторов методом радиального распределения дает информацию о средних радиусах координационных сфер различных центров и числе атомов в них. С помощью этого метода было, в частности, установлено образование дефектных шпинелей в результате проникновения атомов нанесенных металлов в объем оксида алюминия в алюмоникеле-вых и алюмоплатиновых катализаторах. [57]
Страницы: 1 2 3 4