Высокочастотная диэлектрическая проницаемость

Cтраница 1

Высокочастотная диэлектрическая проницаемость пяаамн а условиях, когда период колебания пояя мал по сравнению с временем взаимодействия сталкивающихся частиц. [1]

Величина высокочастотной диэлектрической проницаемости г, связанной с поляризацией сдвига, практически остается постоянной и не зависит ни от температуры, ни от молекулярной массы олигомера, в то время как статическая диэлектрическая проницаемость EQ изменяется с температурой и возрастает с уменьшением молекулярной массы. [2]

Приведены значения статической диэлектрической постоянной, предельной высокочастотной диэлектрической проницаемости, диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь, времени релаксации, коэффициента распределения времен релаксации, энергии, теплоты и энтропии активации диэлектрической релаксации в широком диапазоне частот и в большом интервале температур для 1000 и более чистых веществ в жидком состоянии. [3]

Последняя величина называется высокочастотной диэлектрической проницаемостью. [4]

Квадрат этой величины и есть высокочастотная диэлектрическая проницаемость, зависящая от поляризуемости среды. [5]

Принципиальная схема метода замещения. [6]

Резонансные методы наиболее распространены при измерениях высокочастотной диэлектрической проницаемости. Известно много вариантов этих методов. Мы рассмотрим только основные методы: метод замещения, метод биений и частотный. [7]

Приведены значения статической диэлектрической проницаемости, предельной высокочастотной диэлектрической проницаемости, диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь, времени релаксации, коэффициента распределения времен релаксации, энергии, теплоты и энтропии активации диэлектрической релаксации в широком диапазоне частот и в большом интервале температур для более чем 1000 бинарных неводных и водных систем. [8]

В главах II-III сведены в таблицы результаты измерений статической диэлектрической проницаемости, предельной высокочастотной диэлектрической проницаемости, [ диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь, времени релаксации, коэффициента распределения времен релаксации, а также термодинамические функции диэлектрической релаксации в широком интервале температур и в большом диапазоне частот для неводных и водных растворов неорганических и органических веществ. [9]

Величина Еа Ev определяется несколькими факторами: расстоянием между акцепторными состояниями, плотностью подвижного экранирующего заряда и высокочастотной диэлектрической проницаемостью К. Для первых двух факторов ситуация является сходной, но в отношении третьего фактора имеется значительное различие. В случае системы Se Tei-x уменьшение х приводит не только к увеличению Nd, но также и к увеличению концентрации теллура. Атомы Те имеют сравнительно большие размеры и являются поляризуемыми, так что К увеличивается. В настоящем случае уменьшение х сопровождается уменьшением К из-за больших поляризующихся атомов теллура. [10]

Бьеррум [205] предположил, что рассматриваемая энергия диссоциации может быть рассчитана на основе электростатических взаимодействий образующихся ионов с использованием высокочастотной диэлектрической проницаемости льда. [11]

Параметр взаимодействия q можно определить из статической диэлектрической проницаемости кристалла, а электронные поляризуемости а и а - входят в выражение высокочастотной диэлектрической проницаемости. Последний член правой части уравнения (7.82), являющийся характерным для оболочечной модели, физически свидетельствует о том, что взаимное отталкивание заполненных электронных оболочек индуцирует электронный дипольный момент, по знаку противоположный моменту, индуцируемому электрическим полем. [12]

Ориентация диполей в электрическом поле конденсатора.| Зависимости активной е и реактивной г составляющих комплексной диэлектрической проницаемости е от частоты. [13]

Кривая е е ( со) имеет точку перегиба при cot 1 и при дальнейшем росте частоты приближается к новому постоянному значению еда, называемому высокочастотной диэлектрической проницаемостью. Эта высокочастотная диэлектрическая проницаемость в соответствии с уравнениями Максвелла определяется величиной показателя преломления. [14]

Частота ve равна ( e / e) 1 / 2v0, где v0 - частота остаточных лучей, соответствующая поперечным оптическим колебаниям приК0; е - высокочастотная диэлектрическая проницаемость. В неполярных кристаллах величина а незначительна в силу малости е - е, однако в полярных кристаллах она может принять значения лишь немногим меньше единицы. Значительно более сложный расчет Лоу и Пайнса проведен в приближении, когда а1, однако при этом не получено явного выражения для времени релаксации, за исключением области низких температур. [15]

Страницы: 1 2