Высокочастотная диэлектрическая проницаемость
Cтраница 2
 |
Сопоставление проводимости, измеренной на постоянном и на пере. [16] |
Са - емкостное сопротивление воздуха; R - сопротивление, подключенное последовательно; tc - время зарядки; г 0 в - статическая диэлектрическая проницаемость; е с - высокочастотная диэлектрическая проницаемость; т - время диэлектрической релаксации. [17]
Я-компонента нормальной координаты оптического колебания; шг и QL - частоты ТО - и LO-фононов с q к 0; W - число элементарных ячеек е единице объема; е - заряд Борна или поперечный эффективный запяд и Е - высокочастотная диэлектрическая проницаемость. [18]
Кривая е е ( со) имеет точку перегиба при cot 1 и при дальнейшем росте частоты приближается к новому постоянному значению еда, называемому высокочастотной диэлектрической проницаемостью. Эта высокочастотная диэлектрическая проницаемость в соответствии с уравнениями Максвелла определяется величиной показателя преломления. [19]
Зависимость высокочастотной е от поляризации объясняется размерами и природой доменов, имеющихся в неполяризованных образцах. Авторами работы [13] также было установлено, что высокочастотная диэлектрическая проницаемость поляризованной и неполяризованной областей кристалла значительно различаются. [20]
Для кристаллических структур типа алмаза приведена диэлектрическая проницаемость в области низких частот. Для кристаллов со структурой цинковой обманки представлены значения низкочастотной и высокочастотной диэлектрической проницаемости. Для структуры типа вюрцита первые две величины характеризуют низкочастотную диэлектрическую проницаемость для электрического поля, поляризованного вдоль осей а и с. Следующие две величины соответствуют высокочастотной диэлектрической проницаемости. [21]
В главе II кратко описываются основные методы измерения диэлектрической проницаемости и потерь, приводятся ошибки эксперимента и указываются пределы применимости этих методов. В главах III-IV сведены в таблицы результаты измерений статической диэлектрической постоянной, предельной высокочастотной диэлектрической проницаемости, диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь, времени релаксации, коэффициента распределения времен релаксации, термодинамические функции диэлектрической релаксации в широком интервале температур и в большом диапазоне частот для чистых жидкостей. [22]
Обозначим через е0 статическую диэлектрическую проницаемость вещества. Однако если бы ионы были неподвижными, выражение для потенциальной энергии имело бы вид е2 / е00г, где ЕСО - высокочастотная диэлектрическая проницаемость ( см, также разд. [23]
В области частот, где диэлектрическая проницаемость начинает уменьшаться с ростом частоты ( начало области аномальной дисперсии), это синфазное следование диполей за электрическим полем нарушается. В области высоких частот ориентационная поляризация пропадает и остается лишь изменяющаяся под действием электрического поля поляризация сдвига. Коэффициент диэлектрических потерь ( е) в областях квазистатической и высокочастотной диэлектрической проницаемости практически очень мал. Он резко возрастает в области аномальной дисперсии и достигает максимума в точке перегиба дисперсионной кривой при критической частоте вкр. [24]
Предложенная методология носит универсальный характер и может быть применена для различного диапазона нефтей. К ним могут быть отнесены температурные зависимости, низкочастотная удельная электропроводность, статическая диэлектрическая проницаемость, высокочастотная диэлектрическая проницаемость. [25]
Вообще говоря, s определяется атомными поляризуемостями взаимодействующих атомов, влиянием окружающего поля и растворителем. При малых расстояниях е должно быть близко к единице, но непременно больше единицы. Брант и Флори [6, 7], как, впрочем, и другие авторы, считали е постоянным - не зависящим от расстояния между парой рассматриваемых атомов, и приняли для него значение 3 5, близкое к значению высокочастотной диэлектрической проницаемости пептида. Вопрос о выборе е мы рассмотрим подробнее на примере аланинового дипептида. [26]
Для кристаллических структур типа алмаза приведена диэлектрическая проницаемость в области низких частот. Для кристаллов со структурой цинковой обманки представлены значения низкочастотной и высокочастотной диэлектрической проницаемости. Для структуры типа вюрцита первые две величины характеризуют низкочастотную диэлектрическую проницаемость для электрического поля, поляризованного вдоль осей а и с. Следующие две величины соответствуют высокочастотной диэлектрической проницаемости. [27]
Поскольку здесь удобно также привлечь представление о поле зарядов-изображений, изложенный подход иногда условно называют методом изображений. Он позволяет сравнительно простым макроскопическим путем учесть коллективные эффекты в конденсированной среде, используя только ее диэлектрическую проницаемость. Впервые метод изображений к обсуждаемой задаче применил Леннард-Джонс [585], рассмотревший частный случай, когда подложка идеально отображает флуктуирующий в атоме дипольный момент. Чтобы пояснить найденные в этих работах результаты, подставим в формулу (6.88) простейшее выражение для высокочастотной диэлектрической проницаемости металла е ( ( о) 1 - со / со2, где ыр - плазменная частота. [28]
Как и можно было ожидать, расчеты, основанные на указанных выше ап-роксимащшх, оказываются весьма близкими к более грубым вычислениям [2 - 5], в которых постулировалось существование лишь одного времени релаксации для каждого малого интервала энергии. Доказательство следует непосредственно из уравнения Больцмана. Скорость изменения парциального вектора тока djl во времени за счет электрического поля пропорциональна ускорению носителей тока ет 1; множитель пропорциональности зависит от энергии и от нсвозмущенной функции распределения. Вклад магнитного поля в ddjWjdt равен ( умноженной на е) сумме ускорений Лоренца ( е / с) m 1 - ( vxli), взятой по всем носителям тока в данном интервале энергии, так как в отличие от ускорения электрическим полем сила Лоренца не меняет энергии электрона. Однако в случае переменных электрических полей, ( например, в рассматриваемой ниже задаче о высокочастотной диэлектрической проницаемости) вид весового множителя оказывается несколько иным. [29]
В формулах (6.31) и ( 6.3 /) не учтено усреднение по энергиям сомножителей, зависящих от времени релаксации. Если т зависит от энергии, то в окончательном виде е и е; будут зависеть от механизма рассеяния энергии электронами в кристалле. Выражения (6.31) и (6.32) не учитывают также взаимодействие электромагнитной волны с колебаниями кристаллической решетки. В области частот между краем собственного поглощения и частотой продольных олтических колебаний решетки ( О8 ( о) г высокочастотная диэлектрическая проницаемость обусловлена взаимодействием электромагнитной волны с узлами кристаллической решетки и является характеристикой решетки. Для чистого кристалла в области частот от cog до ю диэлектрическая проницаемость ег, практически постоянна и не зависит от частоты. [30]
Страницы: 1 2