Оптическая диэлектрическая проницаемость

Cтраница 1

Оптическая диэлектрическая проницаемость была вычислена по значениям показателя преломления. [1]

Величина е ( со) представляет собой линейную оптическую диэлектрическую проницаемость вещества на частоте со в пренебрежении вкладом от возможного резонансного перехода на частоте со / со. В то время как е ( со) лишь медленно изменяется с частотой, резонансный вклад вблизи со / сильно зависит от со. [2]

Растворы с замкнутой областью расслоения [ ( схема. Сплошная линия окружает область расслоения, пунктирная - область больших флуктуации концентрации. [3]

К - длина световой волны; е - оптическая диэлектрическая проницаемость; УМ - молярный объем раствора; NA - число Авогадро. Следует отметить, что флуктуации концентрации имеются также у идеальных растворов, но только там эти флуктуации не достигают такой большой величины, как в растворах с положительным отклонением от идеальности. [4]

Для некоторых кристаллов имеется существенная разница между величиной оптической диэлектрической проницаемости еор / и статической es, где Ropt находится как квадрат показателя преломления. Однако при отсутствии других данных грубое определение энергетического промежутка возможно, как указано выше, по внешнему виду кристалла или порошка. [5]

Здесь R - расстояние между центрами реагирующих ионов; 80 и ss - оптическая и статическая диэлектрические проницаемости среды; оптическая диэлектрическая проницаемость учитывает наиболее быстро устанавливающуюся при изменении заряда электронную поляризацию среды, а статическая диэлектрическая проницаемость наряду с электронной составляющей поляризации учитывает атомную поляризацию, вызываемую изменением длин полярных межатомных связей, и ориентационную поляризацию, обусловленную поворотами и вращением полярных молекул растворителя или их ассоциатов во внешнем поле. [6]

В 1950 г. мы с коллегой были заняты решением задачи определения из эксперимента адиабатического значения ( при постоянной энтропии) производной оптической диэлектрической проницаемости по плотности жидкости. [7]

ЕЖ заменяет [103] квадрат онзагеровского внутреннего показателя преломления и2; е, называется диэлектрической проницаемостью при бесконечно большой частоте или оптической диэлектрической проницаемостью. [8]

Теоретическая зависимость tg fl от частоты приложенного к диэлектрику напряжения.| Круговая диаграмма Коул - Коула ( схематически.| Зависимости tg6 от температуры. [9]

По измеренным значениям С и Сю для конденсатора с однородным диэлектриком могут быть рассчитаны значения статической диэлектрической проницаемости 8гот при постоянном напряжении и оптической диэлектрической проницаемости в пт для весьма высоких частот, приближающихся к частотам световых колебаний. [10]

Представим себе теперь, что в процессе заряжения мы добавили весь заряд очень быстро, так что за время заряжения успевает прореагировать на добавленный заряд только электронная поляризуемость. В этом случае поле диэлектрика будет пропорционально ( 1 - 1 / е0), где е0 - оптическая диэлектрическая проницаемость, соответствующая только электронной поляризуемости. [11]

Выражение (2.4.6.06) формально соответствует энергии свободного электрона, движущегося по орбите вокруг положительного заряда. Однако в последнем случае используется статическая диэлектрическая проницаемость, в то время как в случае самозахвата играет роль также оптическая диэлектрическая проницаемость. [12]

Так как в выражение для А5И и Uf входит значение диэлектрической проницаемости среды, величины А. Так, среда с более высокой оптической диэлектрической проницаемостью ( большим показателем преломления) должна способствовать образованию иона из нейтральной частицы или образованию более высокозаряженного иона и наоборот. [13]

В ее рамках учитываются как электронные диполи, так и диполи смещения. Значения ионных поляризуемостей обычно подбираются путем подгонки оптической диэлектрической проницаемости e под экспериментальные данные. [14]

Основанием для этого послужили эксперименты Курт-ца [14], который, анализируя УФ спектры отражения, показал, что общая особенность зонной карти - ны, приведенной на рис. 8.5, относится ко всем кислородно-окта-эдрическим сегнетоэлектрикам. Высоколежащие энергетические уровни зоны проводимости сильно меняются в зависимости от состава окисла, так как эти уровни критически зависят от природы металлического иона в 4-положе-ции. На рис. 8.6 приведен спектр мнимой части оптической диэлектрической проницаемости е, полученный Куртцем [14] и Кардоной [15] из анализа УФ отражения. Каждый из двух пиков, приходящихся на 5 0 5 и 9 1 эВ, вероятно, включает в себя более чем рдну критическую точку или критическую линию в зоне Бриллюэна. [15]

Страницы: 1 2