Основной затвор

Cтраница 5

Конструкции полевых транзисторов с управляющим переходом.| Конструкции МДП транзисторов. [61]

Неравномерно легированные каналы формируются диффузионными методами введения примесей. На рис. 2 - 76, б показана конструкция планарного полевого транзистора с р-п переходом, изготовляемого методом двойной диффузии примесей. Другая примесь, с меньшим коэффициентом диффузии, используется для создания более тонкого слоя 3, образующего управляющий р-п переход. Последний может использоваться в схеме в роли второго затвора. Поскольку площадь р-п перехода, отделяющего подложку от канала, значительно больше площади р-п перехода основного затвора, то частотные характеристики полевого транзистора по второму затвору ухудшаются, ток утечки увеличивается, а входное сопротивление уменьшается. Однако для некоторых целей, например для управления коэффициентом усиления в системах АРУ, второй затвор оказывается вполне пригодным. [62]

Классификация электромагнитных клапанов. [63]

Различают клапаны прямого, непрямого и комбинированного действия. Наиболее широкое применение находят клапаны непрямого действия. Клапаны прямого действия используют в основном при небольшом диаметре условного прохода и не слишком высоких давлениях. Преимущество клапанов непрямого действия заключается в небольшой мощности электромагнитов, в которых используется энергия рабочей феды. В этом случае электромагнит открывает только малое вспомогательное отверстие, которое в свою очередь управляет работой основного затвора. [64]

Страницы: 1 2 3 4 5