Протекание - большинство
Cтраница 2
Изучение пластической деформации и вызываемых ею структурных изменений при износе имеет большое значение для познания сложных явлений изнашивания, поскольку пластическая деформация является одним из видов нарушения поверхностной прочности и служит первичным процессом, при котором создаются условия для протекания большинства вторичных элементарных процессов износа. [16]
Изучение пластической деформации и вызываемых ею структурных изменений при износе имеет большое значение для изучения сложных явлений изнашивания, так как пластическая деформация является одним из видов нарушения поверхностной прочности и служит первичным процессом, при котором создаются условия для протекания большинства вторичных элементарных процессов износа. [17]
Температура принадлежит к числу факторов, наиболее сильна влияющих на скорость химических реакций. Поэтому протекание большинства химико-технологических процессов в значительной степени определяется выделением ( или поглощением) и переносом тепла. [18]
 |
Схема устройства тензопреобразо-вателей. [19] |
Давление относится к числу распространенных измеряемых физических величин. Контроль за протеканием большинства технологических процессов в тепловой и атомной энергетике, металлургии, химии связан с измерением давления или разности давлений газовых и жидких сред. [20]
Следует отметить для процессов тепломассообмена определенную универсальность аппарата описания обменных процессов в линейной постановке. Во многих производствах характерно протекание большинства процессов, как технологических, так и теплотехнических, в движущихся средах. В работе [4.73] была показана плодотворность применения линейного аппарата обменных процессов в движущихся обменивающихся средах как для процессов теплообмена, так и для характерных физико-химических ( массообменных) процессов, в частности, для восстановительных процессов в доменных печах. В этих обменных процессах проявляется аналогия, связанная с погашением обменных потенциалов вдоль поверхностей обмена. [21]
Предложенный механизм подтвержден выделением соединений [ C13P N - PC13 ] [ PC. Были также получены доказательства возможности протекания большинства реакций, приведенных в этой схеме. [22]
В дальнейшем будут рассматриваться только такие поверхности потенциальной энергии, у которых низшая точка водораздельной линии лежит выше обоих ущелий. Именно такие потенциальные поверхности характерны для протекания большинства элементарных химических процессов. [23]
Применение инфракрасной спектроскопии часто оказывается весьма полезным при самых различных химических исследованиях. Так, изучая спектры последовательно отобранных проб, можно легко контролировать протекание большинства органических реакций. [24]
Применение инфракрасной спектроскопии часто оказывается весьма полезным при самых различных химических исследованиях. Так, изучая спектры последовательно отобранных проб, можно легко контролировать протекание большинства органических реакций. Например, при окислении вторичных спиртов до кетонов постепенно исчезает полоса поглощения гидроксильной группы около 2 8 мк. [25]
Скорости электродных процессов рассматриваются обычно с применением тех же приемов, что и скорость химических реакций. Но при этом, однако, нужно иметь в виду сложность протекания большинства электрохимических превращений по сравнению с химическими, а также то, что решающая роль здесь принадлежит плотности тока i. Процесс разряда ионов, как известно, происходит на фазовой границе электрод - электролит. Таким образом, электродные реакции являются гетерогенными процессами, кинетика которых определяется многими специфическими затруднениями. Реальная электрохимическая, система не может быть правильно истолкована без учета всех явлений, предшествующих элементарному акту разряда и сопровождающих его. Электродная реакция может быть представлена рядом последовательных стадий, через которые она проходит. [26]
Скорости электродных процессов рассматриваются обычно с применением тех же приемов, что и скорость химических реакций. Но при этом, однако, нужно иметь в виду сложность протекания большинства электрохимических превращений по сравнению с химическими, а также то, что решающая роль здесь принадлежит плотности тока i. Процесс разряда ионов, как известно, происходит на фазовой границе электрод - электролит. Таким образом, электродные реакции являются гетерогенными процессами, кинетика которых определяется многими специфическими затруднениями. Реальная электрохимическая система не может быть правильно истолкована без учета всех явлений, предшествующих элементарному акту разряда и сопровождающих его. Электродная реакция может быть представлена рядом последовательных стадий, через которые она проходит. [27]
Такое изменение всегда происходит дискретно хотя бы на микроскопическом уровне. Поэтому АЭ - явление, сопровождающее едва ли не все физические процессы в твердых телах и на их поверхности, и возможность ее регистрации при протекании большинства процессов определяется чувствительностью аппаратуры. АЭ возникает как в микропроцессах, обусловленных движением мельчайших элементов структуры твердых тел, так и в макроявлениях, связанных с разрушением агрегатов и конструкций. Поэтому регистрация АЭ предоставляет широкие возможности для исследования твердых тел, взаимодействия их между собой, с жидкими и газообразными средами, а также для создания контрольно-измерительных устройств и средств диагностики материалов и конструкций в процессе их эксплуатации. [28]
В случае дефицита строительных ресурсов он проявляется в форме образования нерегулярных структур, называемых фрактальными кластерами. Скорость протекания большинства процессов кристаллизации и агрегации ограничена некоторыми факторами ( диффузией, реакционной способностью), поэтому даже при плотной упаковке центральной части граничные области будут испытывать некоторый дефицит строительного материала и иметь вид предфрактала или далее фрактала. Этим объясняется изрезанный, шероховатый характер подавляющего большинства естественных поверхностей. [29]
К непроводникам относятся вещества, у которых имеется некоторое число целиком заполненных и целиком свободных зон. Самая верхняя из заполненных зон называется валентной зоной, самая нижняя из свободных зон называется зоной проводимости. Основную роль для протекания большинства физических процессов играет запрещенная зона, отделяющая валентную зону от зоны проводимости. К полупроводникам относятся вещества, для которых запрещенная зона имеет величину порядка 2 - 3 эв. Вещества с большей шириной запрещенной зоны относятся к диэлектрикам. [30]
Страницы: 1 2 3