Профиль - распределение
Cтраница 1
Профили распределения этих избыточных температур в отдельных сечениях струи, как и профили скоростей, являются подобными; однако оба этих профиля имеют различный вид. [1]
Профили распределения углерода были получены в результате аналитического решения уравнений (7.24) - (7.27) совместно с уравнениями сохранения и приближенными граничными условиями. Профили распределения углерода для параллельного и последовательного отравления показаны на рис. 7.7 ( а) и 7.7 ( 6) соответственно для экспоненциальной функции активности. Как видно из рисунка, выделение кокса наибольшее на входе в реактор для параллельного отравления, где реагент ( источник кокса) имеет наибольшую концентрацию. С другой стороны, для последовательного отравления выделение кокса наибольшее вблизи выхода из реактора, там, где источник отравления ( в данном случае это продукт) имеет наивысшую концентрацию. [2]
 |
Профили распределения легирующей примеси в слоях n - i - p a - Si. Н, полученные с помощью ионного микроанализатора. [3] |
Профили распределения фосфора и бора, представленные на рис. 5.3.2, получены с помощью ионного микроанализатора. [4]
 |
Профили распределения легирующей примеси в слоях n - i - p a - Si. Н, полученные с помощью ионного микроанализатора. [5] |
Профили распределения фосфора и бора, представленные на рис. 5.3.2, получены с помощью ионного микроанализатора. Было найдено, что наличие атомов бора в / - слое увеличивает длину дрейфа фотосгенерированных дырок и что наибольшая эффективность преобразования в солнечном элементе со структурой ( ЖО / н - / - р / Нерж. [6]
 |
Карты изменения давления ( МПа по залежи на момент отбора 7 64 % запасов нефти. [7] |
Профиль распределения давления по четвертому слою в районе узлов 5 - 8 по оси х располагается ниже, чем по третьему слою. Это можно объяснить тем, что работа скважин, вскрывающих четвертый слой, вызывает отток флюидов в район расположения скважин и наблюдается снижение давления. [8]
Профиль распределения давления по четвертому слою в районе узлов 5 - 8 по оси х располагается ниже профиля по третьему слою. Профиль распределения давления по пятому слою располагается еще ниже. [9]
Построение профилей распределения пластового давления показывает, что, например, в районе скв. НАГ происходит более интенсивное падение пластового давления. [10]
Исследование профилей распределения внедренных ионов кислорода при температуре облучения 500 С показало, что при дозе - DKp они соответствуют асимметричным гауссианам. При превышении DKp в распределениях внедренных атомов наблюдается плато, т.е. концентрация кислорода в образцах ограничена DKp. Повышение температуры облученного кремния до 700 С приводит к большому увеличению концентрации кислорода на его поверхности и образованию преципитатов. [12]
Изучение профиля распределения исследуемого химического элемента по глубине методом ЭОС может быть найдено тремя способами. Первый способ основан на том, что при наклонном падении бомбардирующего электронного пучка вероятность возбуждения поверхностных атомов становится больше, чем при нормальном падении. Поэтому для получения количественных данных исследуют зависимость интенсивности линий ЭО-спектра от угла падения первичного электронного пучка к исследуемой поверхности твердого тела. Второй способ основан на зависимости глубины выхода оже-электронов от их энергии. [13]
Справа представлен профиль распределения по глубине железа, внедренного в кремниевую подложку. Глубина проникновения растет с ростом энергии падающего пучка. [14]
Соответственно меняется профиль распределения доли твердой фазы fs ( x), формируется резкая граница расплав-твердый металл, вблизи нее со стороны расплава образуются мелкие кристаллиты. [15]
Страницы: 1 2 3 4