Профиль - распределение - примесь
Cтраница 1
 |
Профили распределения бора в кремнии после диффузионной разгонки из ионно-легиро-ванных разными дозами облучения слоев. [1] |
Профиль распределения примеси, полученный разгонкой внедренного слоя, отличается от профиля распределения, сформированного в процессе равновесной термодиффузии. Причина наблюдаемых отличий заключается в ускоренной диффузии примеси, обусловленной главным образом появлением избыточных вакансий, которые образуются при распаде радиационных дефектов в ходе диффузионного отжига. [2]
Профиль распределения примесей является важной характеристикой получаемых эпитаксиальных структур. [3]
Профиль распределения примеси поперек пьедестала ( см. рис. 1, б) симметричен. Заражение пьедестала примесью резко уменьшается за пределами расположения источника. [4]
Для построения профиля распределения примесей, полученного внедрением ионов в аморфную мишень, мы должны иметь значение проекции пробега и средние нормальные отклонения этой проекции. [5]
Ионно-легированные кремниевые диоды имеют более резкий профиль распределения примесей и меньшую-глубину залегания р-п перехода ( рис. 9 - 12), чем диффузионные, в связи с этим ионно-легированные приборы имеют лучшие характеристики, чем диффузионные. [6]
Из-за этого не удается получить резкий профиль распределения примеси между подложкой и слоем, легированными до разного уровня или различными примесями. При уменьшении температуры интенсивность процессов перераспределения примеси между подложкой и слоем снижается. Этим и объясняется интерес к разработке низкотемпературных методов наращивания. [7]
Следует ожидать, что на формирование конечного профиля распределения примесей в эпитаксиалышх слоях могут одновременно в той или иной степени влиять диффузионные и ростовые процессы. [8]
В работе [1] в рамках модели твердотельной диффузии с перемещающейся фазовой границей сформулирована задача для расчета профиля распределения примесей, вводимых в эпитаксиальный слой из газовой фазы в процессе наращивания. [9]
В заключение отметим, что при малых и средних концентрациях fsicu диффузионные процессы, выраженные через эффективные Z), по-видимому, играют основную роль при формировании профиля распределения примесей в эпитаксиальных слоях кремния, а в случае высоких концентраций Csici4 ( скоростей роста) в формировании конечного профиля распределения примесей определенное значение могут иметь и ростовые явления. [10]
При решении последнего из перечисленных вопросов потребуется проведение оптимизации толщины базового и верхнего слоев, структуры контактной сетки, параметров просветляющего покрытия и отражающего тыльного контакта, а также профиля распределения примеси в поверхностном слое. Кроме того, необходимо исследовать возможность повышения эффективности собирания носителей заряда за счет уменьшения толщины фотоактивного слоя и создания высокоотражающего тыльного контакта. В элементе такой конструкции, предложенной Ред-филдом [39], двукратное прохождение света через слой кремния обеспечит достаточно полное его поглощение. [11]
В результате решения задачи о вхождении легирующей примеси при кристаллизации автоэпитаксиального слоя из газовой фазы с учетом ее испарения с растущей поверхности и диффузионного оттока внутрь твердого тела получена формула для расчета профиля распределения примеси в системе автоэпитаксиальный слой - подложка. С помощью ЭВМ проведен численный расчет примесных профилей. Рассматриваются особенности процесса на конкретных примерах. [12]
В заключение отметим, что при малых и средних концентрациях fsicu диффузионные процессы, выраженные через эффективные Z), по-видимому, играют основную роль при формировании профиля распределения примесей в эпитаксиальных слоях кремния, а в случае высоких концентраций Csici4 ( скоростей роста) в формировании конечного профиля распределения примесей определенное значение могут иметь и ростовые явления. [13]
При производстве полупроводниковых приборов перед технологом встает задача определить требуемый профиль распределения легирующих примесей и найти технологические условия, обеспечивающие реализацию этого профиля в конкретном типе прибора. При диффузионном легировании профиль распределения примеси и поверхностная концентрация практически полностью определяются температурой процесса. В процессе ионного легирования возможно независимое изменение этих параметров: концентрация внедренных атомов зависит от дозы облучения, а профиль их распределения определяется энергией ионов в пучке. [14]
Достоинством элионной технологии является возможность автоматизации технологических процессов. Кроме того, регулируя по заданной программе энергию и дозу ионов, можно в широких пределах изменять профиль распределения примеси в легированном слое, что является важным преимуществом ионного легирования, так как электрические свойства электронно-дырочных переходов и создаваемых на основе их приборов зависят от распределения примесей вблизи перехода. [15]
Страницы: 1 2