Профиль - распределение - примесь
Cтраница 2
 |
Блок-схема двумерного процесса моделирования. [16] |
Программа моделирования ориентирована на определение данных в допустимой области изменения параметров. Наиболее важными входными данными являются трехмерная форма элементов и распределение примеси. В этом разделе описывается пример двумерного моделирования процесса термического окисления после ионной имплантации, что позволяет в этом случае решить вопрос о расширении профиля распределения примеси В. [17]
Большинство внедренных ионов попадает в междоузлия, где они не являются электрически активными. Кроме того, в процессе облучения в полупроводнике возникают радиационные дефекты, количество которых растет с дозой облучения. Для устранения последних и перевода внедренных ионов в узлы кристаллической решетки после ионного внедрения проводится отжиг при Т - 500 - 5 - 700 С. В процессе отжига происходят распад и аннигиляция радиационных дефектов, а также активация легирующих примесей. Отжиг приводит, кроме того, к изменению профиля распределения примесей. [18]
Очищенные пластины с выращенным на них эпитаксиаль-ным слоем 81 или без него подвергают термин, обработке, включающей окисление, диффузию примесей или ионное легирование, отжиг пластины ( в том случае, если примеси вводились ионным легированием), пиролитич. При реализации этих процессов осуществляется формирование активных областей и др. компонентов планарных структур. С), а для ускорения процесса применяют разл. Для введения примесей все чаще вместо диффузии применяют ионное легирование ( ионную имплантацию), к-рое по сравнению с диффузией обладает рядом преимуществ-универсальностью ( возможность вводить практически любые в-ва в любую подложку), высокой воспроизводимостью, возможностью управлять профилем распределения примеси и изменять концентрацию вводимых примесей в широких пределах. [19]
Страницы: 1 2