Прохождение - обратный ток
Cтраница 1
Прохождение обратного тока через полупроводниковый диод, находящийся под напряжением, вызывает выделение соответствующей мощности, что приводит к повышению температуры диода. Поэтому разным точкам вольт-амперной характеристики, снятой на постоянном токе, соответствуют разные температуры диода. Так как изменение температуры влияет практически на все перечисленные факторы, определяющие значение обратного тока, от него зависит и вид вольт-амперной характеристики. [1]
Прохождение обратного тока в полупроводниковом диоде практически не изменяет концентрации основных носителей зарядов в р-и / г-областях, так как концентрация основных носителей в этих областях неизмеримо больше концентрации неосновных носителей. [2]
 |
Структурная схема ( а, распределение неосновных носителей перед выключением ( б, графики тока и напряжения при выключении ( в планарного тиристора с высокоомным. [3] |
В результате прохождения обратного тока накопленный заряд начинает рассасываться и в момент времени переход / 8 запирается. В отличие от обычных тиристоров переход / 3 не пробивается. [4]
 |
Контактный узел для ризующее напряжение ( смещение, фикси-измерения прямого падения на - рующее некоторую рабочую точку на его пряжения. вольтамперной характеристике и перемен. [5] |
Во время прохождения обратного тока выпрямитель представляет собой емкость, шунтированную сопротивлением. Следовательно, сравнительное плечо моста должно состоять из параллельно соединенных эталонных сопротивления и емкости. [6]
Выделяемая за счет прохождения обратного тока электрическая мощность разогревает переход. При этом его обратный ток увеличивается. Увеличение тока вызывает увеличение разогревающей мощности. [7]
Он обусловлен нагреванием р-п-пе-рехода вследствие выделения теплоты при прохождении обратного тока / Обр. Выделяющаяся на p - n - переходе мощность, равная / оврС / обр, вызывает повышение температуры р - / г-перехода и прилегающих к нему областей полупроводника. Увеличиваются концентрация неосновных носителей (1.4) и тепловой ток (2.13), что приводит к дальнейшему росту мощности и температуры. Если количество теплоты, выделяемой в переходе, превышает количество отводимой теплоты, то при напряжении пробоя развивается процесс непрерывного нарастания температуры, а значит, и тока. Следовательно, напряжение теплового пробоя зависит от условий теплоотвода и снижается при повышении температуры окружающей среды. [8]
Тепловой пробой является следствием процесса разогрева полупроводникового перехода при прохождении обратного тока. Нагрев перехода приводит к усилению термогенерации носителей заряда, последующему возрастанию обратного тока и тепловому пробою. [9]
Явление теплового пробоя связано с тем, что при прохождении обратного тока в переходе выделяется определенное количество тепла, Если это количество тепла превосходит отводимое от перехода, температура его начнет повышаться, а следовательно, возрастет обратный ток, что еще больше увеличит количество выделяемого тепла. Такой нарастающий процесс может привести к недопустимому. [10]
Особенности оксидных конденсаторов различных типов следует учитывать при их применении, обеспечивая защиту от прохождения обратных токов ( для полярных оксидных конденсаторов), защиту от перенапряжения и защиту от чрезмерного тепловыделения. [11]
Отсюда видно, что в случаях 1 и 3 полярный электролитический конденсатор защищен от прохождения обратных токов, а в случае 2 незащищен. [12]
 |
Зависимости D ( 1, чувствительности Sv ( 2 и напряжения шумов иш ( 3 от напряжения смещения. [13] |
Таким образом, наибольшее значение D достигается в фотовольтаическом режиме, так как отсутствует шумовая составляющая, связанная с прохождением обратного тока. [14]
Аналогично лавинным диодам промышленность выпускает лавинные тиристоры, которые способны рассеивать большую, чем обычные управляемые вентили, мощность при прохождении обратного тока. [15]
Страницы: 1 2